多晶硅薄膜制备技术的研究进展-河北大学学报(自然科学版).PDF

第 卷 第 期 河北大学学报（自然科学版） 25 1 Vol.25 No. 1 年 月 （ ） 2005 1 Journal of ~ebei universit Natural Science Edition Jan.2005 y !!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!!! 学科综述 多晶硅薄膜制备技术的研究进展 马 蕾，简红彬，康建波，彭英才 （河北大学 电子信息工程学院，河北 保定 071002） 摘 要：多晶硅薄膜是当前在能源科学和信息技术领域中广泛使用的功能材料，它兼具单晶硅和氢化非 晶硅（ ：）的优点 本文评论了近几年多晶硅薄膜制备技术的研究进展，着重讨论了每种方法薄膜的淀积 a-Si ~ . 机理，并预测了多晶硅薄膜制备技术的未来发展趋势. 关键词：多晶硅薄摸；低压化学气相淀积；热丝化学气相淀积；固相晶化；激光诱导晶化；金属诱导晶化 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） O 484 A 1000 -1565 2005 01-0097 -07 自从 年多晶硅薄膜开始在集成电路中被用作隔离介质，以及 年出现第 只多晶硅金属氧化 1964 1966 1 物半导体场效应晶体管（ ）以来，多晶硅薄膜以其所具有的各种良好电学特性，目前已被广泛应用 MOSFET 于大规模集成电路和各种半导体分立器件的制作中 例如：利用重掺杂低阻多晶硅薄膜可作为. MOS 晶体管 的栅极，而在此基础上发展起来的 栅 沟道技术极大地促进了集成电路的迅速发展 尤其是以重掺杂多 Si N . 晶硅薄膜替代原来的铝（ ）膜作为 晶体管的栅极后，由于实现了自对准栅，从而减小了器件的寄生电 Al MOS 容，使电路的动作速度大大提高；与此同时，由于多晶硅栅与 的功函数差较小，因而降低了 晶体管的 Si MOS 开启电压，使得充放电幅度降低，提高了器件的频率特性，并降低了集成电路的功耗 此外，在. MOS 集成电 路中，重掺杂多晶硅薄膜还常用作电容器的极板、 随机存储器电荷存储元件的极板、浮栅器件的浮栅和 MOS 电荷耦合器件的电极等 轻掺杂多晶硅薄膜则常用于集成电路中. MOS 随机存储器的负载电阻及其他电阻 器. 当前，多晶硅薄膜极富发展潜力的应用有 个：一是大晶粒多晶硅，具有远大于非晶硅，并与单晶硅可相 2 比拟的高载流子迁移率，常代替非晶硅应用于薄膜晶体管（ ）的有源层，因此不仅可以取代非晶硅用于液 TFT 晶显示器件（ ），而且用它制作的互补 （ ）电路可以实现 一体化，即把外围驱动电路和显 LCD