用阶跃恢复法测量半导体二极管少数载流子寿命-复旦大学物理教学.PDF

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用阶跃恢复法测量半导体二极管少数载流子寿命-复旦大学物理教学

用阶跃恢复法测量半导体二极管少数载流子寿命 邵剑 指导老师:陆昉教授 (复旦大学物理系上海 200433 ) 摘要 本文介绍一种简易的电学方法,用以测量半导体二极管中的少数载流子寿命,通过对 于PN 结二极管的阶跃恢复特性曲线的测量,并用线性拟合出其少数载流子寿命。此方法具 有设备简单,易于操作等优势。在之前的文献中对使用阶跃恢复法测量少数载流子寿命做了 介绍。在本文中,使用阶跃恢复法对二极管的少数载流子寿命进行了实际的测量,并与用反 向恢复时间法测量的结果进行了比较,得到了较为可信的结果。 关键词:二极管 少数载流子寿命 阶跃恢复法 反向恢复时间法 引言 方法便捷有效。但是它受脉冲信号源上升时 间的限制,当少数载流子寿命小于其上升时 随着社会的发展,半导体技术在能源与 间时,此种方法不再有效。但是由Krakauer[1] 信息领域扮演着越来越重要的角色,而少数 提出的利用二极管在正弦波的作用下电荷 载流子寿命是半导体材料和半导体器件的 储存阶跃恢复特性测量二极管的寿命,方法 一个重要参量,其对晶体三极管,太阳能电 简单,且可测得更大范围的少数载流子寿命。 池等有重要影响。所以它经常被作为判断半 本文就将用阶跃恢复法测量少数载流 导体器件是否满足特定要求的依据。 子的寿命,并将结果与反向恢复时间法的结 目前,测量半导体中的少数载流子的方 果做初步的比较。 法有很多,如从测定半导体材料光电导和光 磁效应来计算少数载流子寿命,通过测定少 数载流子扩散长度来计算少数载流子寿命 实验原理 等。但是这些方法都需要复杂的仪器设备的 阶跃恢复法:二极管两端加上一个正弦波的 支持。 电压信号Ep sin ωt后,可以用示波器观察到 利用测定二极管从正向偏压到反向偏压的 其电流的瞬态特性。理想的开关二极管(即 瞬态特性中的储存时间,也可以获得少数载 在此正弦波电压信号下没有电荷储存),此 流子寿命。而且这种方法所用的设备简单, 信号应为正向导通,没有反向电流,并且与 信号源的信号没有相位差(如图 1a 所示)。 在正向导通时, 但是当二极管有电荷储存时,在其反向半波 ip,f = Ep −ϕ0 = Ep (1 −ϕ0) R R E c c p 内,有一个短暂的导通过程,然后迅速截止 于是有 (如图1b 所示)[2][3]。 ϕ0 i (1 −E ) p,r p

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