.5 载流子输运现象.ppt

5.2载流子的扩散运动5.2.1扩散电流密度 电子扩散电流密度： Dn称为电子扩散系数，单位为cm2/s 其值为正。 空穴扩散电流密度： Dp称为空穴扩散系数，单位为cm2/s 其值为正。 * 5.2载流子的扩散运动5.2.2总电流密度 总电流密度 半导体中所产生的电流种类： 电子漂移电流、空穴漂移电流 电子扩散电流、空穴扩散电流 总电流密度： 迁移率描述了半导体中载流子在电场力作用下的运动情况； 扩散系数描述了半导体中载流子在浓度梯度作用下的运动情况。 这两个参数之间是相互独立还是具有一定的相关性？ * 5.3杂质梯度分布　 5.3.1感生电场 电势Φ等于电子势能除以电子电量： 一维情况下的感生电场定义为： 假设满足准中性条件，电子浓度与施主杂质浓度基本相等，则有： * 5.3杂质的浓度梯度　 5.3.2爱因斯坦关系 考虑非均匀掺杂半导体，假设没有外加电场，半导体处于热平衡状态，则电子电流和空穴电流分别等于零。可写为： 设半导体满足准中性条件，即n≈Nd(x)，则有： 将式5.40代入上式： 爱因斯坦关系 * 5.3杂质的浓度梯度 典型迁移率及扩散系数 * 5.4霍尔效应 电场和磁场对运动电荷施加力的作用产生的效应为霍尔效应。 用途： 判断半导体的导电类型、计算多数载流子的浓度和迁移率。 y方向上的感生电场称为霍尔电场EH。 霍尔电场在半导体内产生的电压称为霍尔电压VH。 VH为正，为p型半导体； VH为负，为n型半导体； * 5.4霍尔效应 空穴浓度： 电子浓度： 空穴迁移率： 电子迁移率： * 5.5小结 半导体中的两种基本输运机构。 半导体内的散射过程。 速度饱和 载流子迁移率为平均漂移速度与外加电场之比。是温度以及电离杂质浓度的函数。 电导率 爱因斯坦关系 霍尔效应 * END 5.9；5.29；5.33； * 第5章 载流子输运现象 * 本次课内容 第5章 载流子输运现象 5．1 载流子的漂移运动 5．2 载流子扩散 5．3 杂质梯度分布 *5．4 霍尔效应 5．5 小结 输运＝运输　（土路　公路　铁路　磁悬浮　飞机　火箭…　） * 5.1载流子的漂移运动　漂移电流密度 若密度为ρ的正体积电荷以平均漂移速度 运动，则形成的漂移电流密度为 在外场|E|的作用下，半导体中载流子要逆(顺)电场方向作定向运动，这种运动称为漂移运动。 定向运动速度称为漂移速度，它大小不一，取其平均值 称作平均漂移速度。 单位：C/cm2s或A/cm2 空穴形成的漂移电流密度 e单位电荷电量；p：空穴的数量；vdp, 为空穴的平均漂移速度。 空穴的速度是否会持续增大？ * 5.1载流子的漂移运动　漂移电流密度 总漂移电流密度： 空穴漂移电流方向与外加电场方向相同。 同理，可求得电子形成的漂移电流密度 弱电场条件下，平均漂移速度与电场强度成正比，有 μp称为空穴迁移率。单位cm2/Vs * 5.1载流子的漂移运动　漂移电流密度 迁移率的值 * 5.1载流子的漂移运动　 5.1.2迁移率 迁移率 μp称为空穴迁移率。单位cm2/Vs 空穴的加速度与外力如电场力之间的关系： 设初始漂移速度为0，则对上式积分： 迁移率如何计算，它与什么物理量有关？ * 5.1载流子的漂移运动　迁移率 电场对载流子的作用 令τcp表示两次碰撞之间的平均时间： * 5.1载流子的漂移运动　迁移率 空穴迁移率 电子迁移率 载流子的散射： 所谓自由载流子，实际上只有在两次散射之间才真正是自由运动的，其连续两次散射间自由运动的平均路程称为平均自由程，而平均时间称为平均自由时间。 * 5.1载流子的漂移运动　迁移率 声子散射和电离杂质散射 当温度高于绝对零度时，半导体中的原子由于具有一定的热能而在其晶格位置上做无规则热振动，破坏了势函数，导致载流子电子、空穴、与振动的晶格原子发生相互作用。这种晶格散射称为声子散射。 半导体中掺入杂质原子可以控制或改变半导体的性质，室温下杂质电离，在电子或空穴与电离杂质之间存在的库仑作用会引起他们之间的碰撞或散射，这种散射机制称为电离杂质散射。 * 5.1载流子的漂移运动　迁移率 * 5.1载流子的漂移运动　迁移率 * 5.1载流子的漂移运动　 5.1.3电导率 欧姆定律 设p型半导体掺杂浓度为Na,Nani，则电导率为： 电导率: 电阻的倒数 欧姆定律的微分形式： σ表示半导体材料的电导率，单位为(Ωcm)-1。电导率是载流子浓度和迁移率的函数。 * * 5.1载流子的漂移运动　电导率 Nd=1015cm-3 * 半导体的电阻特性 （红线区－电阻：阻碍运输） 对于本征半导体，本征激发起决定性因素，所以T升高，电阻下降； 对