超结硅锗碳异质结双极晶体管机理研究与特性分析优化-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 4 (2014) 048501 超结硅锗碳异质结双极晶体管机理研究 与特性分析优化 刘静 郭飞 高勇 (西安理工大学电子工程系, 西安 710048) ( 2013 年9 月24 日收到; 2013 年10 月31 日收到修改稿) 提出一种超结硅锗碳异质结双极晶体管 (SiGeC HBT) 新结构. 详细分析了新结构中SiGeC 基区和超结 结构的引入对器件性能的影响, 并对其电流输运机制进行研究. 基于SiGeC/Si 异质结技术, 新结构器件的高 频特性优良; 同时超结结构的存在, 在集电区内部水平方向和垂直方向都建立了电场, 二维方向上的电场分布 相互作用大大提高了新结构器件的耐压能力. 结果表明: 超结SiGeC HBT 与普通结构SiGeC HBT 相比, 击 穿电压提高了48.8%; 更重要的是SiGeC HBT 器件中超结结构的引入, 不会改变器件高电流增益、高频率特 性的优点; 新结构器件与相同结构参数的Si 双极晶体管相比, 电流增益提高了10.7 倍, 截止频率和最高震荡 频率也得到了大幅度改善, 很好地实现了高电流增益、高频率特性和高击穿电压三者之间的折中. 对超结区域 的柱区层数和宽度进行优化设计, 随着柱区层数的增多, 击穿电压显著增大, 电流增益有所提高, 截止频率和 最高震荡频率减低, 但幅度很小. 综合考虑认为超结区域采用pnpn 四层结构是合理的. 关键词: 硅锗碳, 超结, 异质结双极晶体管 PACS: 85.30.Pq, 85.30.De, 73.40.Lq DOI: 10.7498/aps.63.048501 性1215 . 但这带来的另一问题是器件击穿电压的 1 引 言 降低, 通常截止频率为200 GHz 的SiGe HBT, 其 击穿电压CE0 小于2 V. 在高频、微波应用中晶体 基于异质结能带工程, 近年来SiGe, SiGeC 异 管的击穿电压较低, 意味着器件必须在高输出功率 质结双极晶体管 (HBT) 高速发展, 在射频、微波领 和高信噪比之间进行取舍, 这使得人们不得不放弃 域其性能可与III-V 族双极晶体管(BJT) 媲美. 先 低成本的SiGe HBT 而去选择昂贵的III-V 族器件. 进的SiGe HBT 其截止频率和最高震荡频率分别高 虽然通过对基区掺杂浓度、厚度以及Ge, C 含量和 达T = 300 GHz, Max = 350 GHz15 ; 设计优良 分布进行优化, 在一定程度上可以缓解这一问题, 的SiGeC HBT 其截止频率超过500 GHz, 正在向 但不能从根本上解决上述参数之间的矛盾. 对于一 太赫兹发展69 . 然而, 目前商用的SiGe, SiGeC 个截止频率T 和击穿电压CE0 分别为120 GHz HBT 的截止频率大多处于中等水平 (200 GHz 以 和1.8 V 的SiGe HBT, 通过优化器件结构和掺杂 内), 这主要是因为双极晶体管的频率和击穿电压 浓度剖面得到T = 100 GHz, BCEO = 19 V 的器 之间存在不可调和的矛盾1011 . 虽然, SiGe HBT 件16 , 仅仅通过器件优化提高HBT 的击穿电压收 基于异质结能带工程所带来的设计自由度对发射 效甚微, 同时却会大幅牺牲器件的频率特性. 区物理限制更小, 使基区设计的基本思想简化为 高性能的功率二极管和功率金属氧化物半导