2m大口径RB-SiC反射镜的磁控溅射改性.pdfVIP

第 24卷 第 7期 光学 精密工程 Vol。24 No．7 2016年 7月 OpticsandPrecisionEngineering July．2016 文章编号 1004—924X(2016)07-1557—07 2m大 口径 RB—SiC反射镜的磁控溅射改性 刘 震 ，高劲松，刘 海，王笑夷，王彤彤 (中国科学院长春光学精密机械与物理研究所光学系统先进制造技术重点实验室，吉林长春 130033) 摘要：为了消除RB-SiC反射镜直接抛光后表面存在的微观缺陷，降低抛光后表面的粗糙度 ，提高表面质量，针对大 口径 SiC的特性，选择 si作为改性材料，利用磁控溅射技术对 2m量级RB-SiC基底进行了表面改性。在 自主研发的 3．2in 的磁控溅射镀膜机上进行基底镀膜 ，利用计算机控制光学成型法对 SiC基底进行 了抛光改性 。实验结果表 明，改性层厚 度达到 15“m；在直径 2．04m范围内，膜层厚度均匀性优于 ±2．5 ；表面粗糙度 由直接抛光 的5．64nm(RMS)降低到 0．78nm。由此说 明磁控溅射技术能够用于大 口径 RB-SiC基底 的表面改性，并且改性后大 口径 RB-SiC的性能可以满足 高质量光学系统的要求 。 关 键 词 ：光学加工 ；磁控溅射 ；表面改性 ；RB-SiC；大 口径 中圈分类号：0484．1；TN307 文献标识码 ：A doi：10．3788／OPE1557 Surfacemodificationof2m RB-SiC substratebymagnetronsputtering LIU Zhen ，GAO Jin-song，LIU Hal，WANG Xiao—yi，WANG Tong—tong (KeyLaboratoryofOpticalSystemAdvancedManufacturingTechnology， ChangchunInstituteofOptics，FineMechanicsandPhysics， ChineseAcademyofSciences，Changchun130033，China) *C0r】rPs户0咒d gauthor，E-mail：liuzhencl@ 163．com Abstract：InordertoeliminatethesurfacemicrodefectafterthedirectpolishingofRB-SiC substrate， reducethesurfaceroughnessandincreasethesurfacequality，Siwasselectedasthemodifiedmaterial basedonthefeaturesoflargeapertureSiC，wherea2m—levelRB-SiC substratewasmodificatedby usingthemagnetron sputteringtechnology．Thesiliconfilm wasdepositedbyadeveloped 3．2m magnetronsputteringcoatingmachine，andtheSiC substratewaspolishedandmodificatedbasedon thecomputercontrolopticalmoldingmethod．Theresultindicatesthatthethicknessofmodifiedlevel reaches15Ⅱm；thethicknessuniformityofthefilm levelisbetterthan±2．596／withinthediameterof 2．04 m ：the surface roughnessdecreasesfrom 5．64 nm (RM S) to 0．78nm．Thereforea the magnetronsputteringtechnologycanbeusedinthesurfacemodificationofthelargeapertureRB-SiC，