低偏压分子电子器件的电导规律 patterns of the low-bias conductance of a molecular device.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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低偏压分子电子器件的电导规律 patterns of the low-bias conductance of a molecular device.pdf

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低偏压分子电子器件的电导规律 patterns of the low-bias conductance of a molecular device

第ll期电子学报 v01．37No．11 2009年11月 ACTAELEI：1RONlCASINICA N0v．2009 低偏压分子电子器件的电导规律张振华，李巧华 (长沙理工大学物理与电子科学学院，湖南长沙4lOll4) 摘要：采用简化的对称势垒连续隧穿模型模拟复合分子线电子器件低偏压下电子隧穿过程，并由电子透射谱随垒宽、垒距、垒高及电子有效质量的变化规律推断低偏压下分子器件的电导规律．结果发现：随着势垒增宽或增高，分子器件的低偏压电导G明显变小；但是随着垒距或电子有效质量增大，则分子器件的低偏压电导G反而变大．这表明可以通过适当的控制方式(如改变复合分子组成、构型等)来修改分子电子器件的低偏压输运性质．关键词：分子器件；对称势垒模型；电子透射谱；低偏压电导中图分类号：rI孙i6 文献标识码： A 文章编号： 0372-2112(2009)ll一2448J∞ P甜emsoftheLaw．BiasCOnductanceOfAMOIeCularDe_、，ice ZHANG压en-hua，UQi鼢h岫 (蕊捌矿肼筘妇∞d皿喇阳r如‰，al嘶￡施哪矿‰dnd死由l姚y，a础，‰410114，‰) 0f AI)sI懵cI：Tl’eell斌唧1ic a b舻 nⅡⅡ圮ljIlg舯∞e醛ina蛳l鼬蛐consistiIlg p0训a1 c0哪脚sy】叫喊吼thiple c011d眦啪髓0fa舢)lecllleam伽捌一哪in朔恼isⅡ10deIed时a豳唾陆ed鲫ccessivc缸柚雠li|19I∞dd．Pa的∞0ftltl湃bias 0f位b硎盯，她di蚴[1ce0f她咖 by恤峨卿IerIls0fel枷们r蛐孵廿awimvar枷啷oft量le谢d吐l，|leigIlt n砖e伍dem n鹚0fd∞蚋m．nisf．伽11d吐l砒她l孵bi勰c0卿|IlctaI髓0fa nci垂lbom培baIri舳，and mol氍：IlIe出期暇ls鹤他m缸kab_Iy 丽ItI baIri盯，iIlsteadthelo、Ⅳ-bi勰c0似IIlImIllce aniI蛔觥iIl枷料Ⅱ鹭嘶幽凹tlei班0fa 柚in哪鼯iIl舒岫巳rn鸷disl：mce ba埘∞0rtlle嘲cieml瑚勰0fd∞nDn．Tl七删lts 0fⅡ硷铆oI埘gh嘶ng pl髑em司he犯锄g萨sl 0f脚lec妇e㈣c t量lat妇州be_蜥0fs devioes曲a姗bias啪be缈嘶删iIla删way(灯跚 coll蛐耐and pk，舭吨nle c0Ilfi舳0fa愀删ecule)． wOrds：molI跏lar c0似hlct；mce Key dcvicc；s)，mme旺icp(1te枷alba埘盯model；eleI删c位m如蛹∞spec嘶；law-biaSed