低温沉积硅薄膜微结构的raman分析 raman analysis of microstructure of silicon thin films deposited at low temperatures.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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低温沉积硅薄膜微结构的raman分析 raman analysis of microstructure of silicon thin films deposited at low temperatures.pdf

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低温沉积硅薄膜微结构的raman分析 raman analysis of microstructure of silicon thin films deposited at low temperatures

SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS Vol. 28 No. 1 Feb. 200 材料、结构及工艺低温沉积硅薄膜微结构的Raman 分析 l，2 l l l l l 张丽伟，赵剑涛，杨根，李红菊，郭学军，卢景霄（1. 郑州大学材料物理教育部重点实验室，河南郑州450052 ；2. 新乡师范高等专科学校，河南新乡453000 ）摘要：用Raman 散射谱研究了以SiH / H 为气源，用等离子体增强化学气相沉积技术，低 4 2 温制备的一系列硅薄膜的微结构特征。结果表明：在常规气压和常规功率下，衬底温度在200 ~ 500 C 之间，存在结晶最佳点，400 C 结晶效果相对最好；在高压高功率下沉积和常压常功率下沉积相比，高压高功率更有利于薄膜晶化；低温短时的高气压高功率沉积，玻璃衬底与铝覆盖的玻璃衬底相比，玻璃上的硅薄膜晶粒尺寸更大，而铝覆盖的玻璃衬底上的硅薄膜的晶化率更高。关键词： Raman ；硅薄膜；微结构中图分类号：TN304. 05 文献标识码：A 文章编号：l00l - 5868（2007 ）0l - 0058 - 02 Raman Analysis of Microstructure of Silicon Thin Films Deposited at Low Temperatures l，2 l l l l l ZHANG Li-wei ，ZHAO Jian-tao ，YANG Gen ，LI Hong-ju ，GUO Xue-jun ，LU Jing-xiao （1. Key Laboratory of Material Physics of Ministry of Education，zhengzhou University ，zhengzhou 450052 ，CHN ； 2. Xinxiang Normal College ，Xinxiang 453000 ，CHN ） Abstract ： The microstructure of siiicon thin fiims fabricated at iow temperature by piasma enhanced chemicai vapor deposition （PECVD ）using H / SiH has been studied by Raman scattering. The 2 4 resuits show that substrate temperature piays an important roie in depositing process. And there is a best temperature point of 400 C for crystaiiization between 200 C to 500 C . The siiicon thin fiims are easy to crystaiiize under high-pressure and high-power deposition process compared with con