06 存储器的.ppt

第六章 半导体存储器;第一节 半导体存储器的分类 ;一、RAM的分类 1、双极型（Bipolar） RAM 双极型RAM的集成度低，单片容量小，功耗大，成本高，因此，仅用于某些高性能微处理器系统中作为高速缓冲存储器，如CACHE ;;;;第二节 读写存储器RAM ;（二）静态RAM器件的组成 静态RAM器件可分成三个部分，分别是存储单元阵列、地址译码器和读/写控制与数据驱动/缓冲。一个典型的静态RAM的示意图如右图所示。 ;右图是一个1K×1位的静态RAM器件的组成框图。该器件总共可以寻址1024个单元，每个单元只存储一位数据。若存储容量较小，可以将该RAM芯片的单元阵列直接排成所需要位数的形式，每一条行选择线（X选择线）代表一个字节，每一条列选择线（Y选择线）代表字节的一个位，故通常把行选择线称为字线，而列选择线称为位线。 ;;;;;;; BHE A0 编码含义;一个静态RAM模块设计的例子。后一??图为模块的接口。模块的总容量为16K字节，选用的存储器件是8片Intel 6116芯片，单片容量为2K×8位。假定CPU选8086，而且工作在最大组态，因而，存储器件阵列必须分为高字节库部分和低字节库部分。高字节库的寻址由BHE控制，低字节库的寻址则由A0控制。;;16K字节模块与CPU总线的接口 ;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;另一个例子;高密度 低功耗;;;;CAS 列地址选通;;;4、动态存储器的刷新方式;;第三节 只读存储器ROM ;;译 码 器;;;;;（一）Intel 2716芯片 Intel 2716是16K（2K×8位）的EPROM，它在5V的单电源下正常工作，其存储时间为450ns ;;;;;;;; ;;;第四节 存储器空间的分配和使用 ;;第五节 存储器的新技术 ;;;