原创力文档- 1、本文档共27页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
CMOS晶体管基础的
二 CMOS晶体管基础;1、工作原理;线宽(Linewidth),
特征尺寸(Feature Size)指什么？;Lmin、 Wmin和 tox 由工艺确定
Lmin： MOS工艺的特征尺寸(feature size)
决定MOSFET的速度和功耗等众多特性
L和W由设计者选定
通常选取L= Lmin，由此，设计者只需选取W
W影响MOSFET的速度，决定电路驱动能力和功耗;① VGS〈Vthn时;②，VGS=Vthn时;Evaluation only.
Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0.
Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;沟道夹断;2、阈值电压（Threshold Voltage）;对于一般工艺，Vtn= 0.83V(NMOS的阈值电压),
Vtp= - 0.91V(PMOS的阈值电压）,
阈值电压由工艺参数决定;3、MOSFET的 I-V 特性 (线性区Triode Region);MOSFET I-V 特性 (饱和区Saturation Region);当晶体管被夹断(pinchoff)时, 发生了什么?
增大 VDS 使耗尽区扩大到沟道中.
这导致ID 随 VDS 的增加而增大. 因此ID 可写为:;MOSFET I-V Characteristics(伏安特性）曲线;线性区(Linear):;4、MOS Capacitance;Capacitance values are the same as Accumulation
and
Capacitance is comprised of three components
; Cap. N+Act. P+Act. Poly M1 M2 M3 Units
Area (sub.) 526 937 83 25 10 8 aF/um2
Area (poly) 54 18 11 aF/um2
Area (M1) 46 17 aF/um2
Area (M2) 49 aF/um2
Area (N+act.) 3599 aF/um2
Area (P+act.) 3415 aF/um2
Fringe (sub.) 249 261 aF/um;5、MOSFET的交流小信号模型(Analog Model for the MOSFET);Small-Signal Model of MOSFET;NMOS管的阈值电压VTHN可表示为:
饱和区NMOS管的漏极电流IDS可表示为:
总的(AC+DC)的漏极电流iDS为:
因此:
;6、MOSFET的简单数字模型 (A Simple Digital Model for the MOSFET);7、衬偏调制效应（体效应）;ＶＴ的变化曲线;8 MOSFET的温度特性;9、CMOS的剖面结构图;Evaluation only.
Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0.
Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.
文档评论（0）