非故意掺杂n型gan的负持续光电导现象 negative persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type gan.pdfVIP

第28卷第6期 半导体学报 V01．28No．6 OF June，2007 2007年6月 CH【NESEJOURNALSEMICONDUCToRS 非故意掺杂n型GaN的负持续光电导现象 苏志国h2’千 许金通1 陈 俊1 李向阳1 刘 骥2 赵德刚3 (1中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室，上海200083) (2山东大学信息科学与工程学院，济南250100) (3中国科学院半导体研究所，北京100083) 摘要：研究了MOCVD方法制备的非故意掺杂n型GaN薄膜的持续光电导现象．实验发现样品的光电导与入射 光强有密切的关系，当入射光强由弱到强变化时，样品会依次出现正常持续光电导(PPC)、负光电导(NPC)和负持 续光电导(NPPC)现象．据知，这是首次在一个样品中仅仅通过改变入射光强就可以