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微电子技术专业;第 3 章;一、晶体管的概述;一、晶体管的概述;一、晶体管的概述;二、晶体管的反向电流;BVEB0的大小由发射结的雪崩击穿电压决定， BVCB0的大小由集电结的雪崩击穿电压决定 BVCE0与BVCB0之间满足关系： 对于NPN的Si管，n=4，PNP的Ge管n=6 什么是负阻击穿现象？ 当VCE达到BVCE0时发生击穿，击穿 后电流上升，电压却反而降低。 ;基极电阻对直流运用没有影响，对交流运用主要影响晶体管的功率特性和频率特性，设计时要减小基极电阻。 基极电阻的两种典型图形是：梳状和圆形晶体管的基极电阻。 减小基极电阻的途径 ;第 4 章;一、晶体管的频率特性;一、晶体管的频率特性;频率增高，发射结电容分流电流iCTe增大，导致交流发射效率γ下降。 频率越高，基区扩散电容分流电流iCDe越大，基区输运系数β*也随着频率的升高而下降。 频率越高，位移电流越大，使集电结空间电荷区输运系数βd随着频率增高而下降。 高频时，共基极交流短路电流放大系数 α= ;交流放大系数 α= ，说明α是一个复数，其幅值随着频率的升高而下降，相位差随着频率的升高而增大。 α截止频率fα= 。 τe为发射极延迟时间 τb对发射结处，基区侧扩散电容CDe的充电延迟时间。 τc集电极延迟时间 τd 为集电结空间电荷区延迟时间 m 为超相移因子（剩余相因子）。 ;交流放大系数 β= ，说明β是一个复数，其幅值随着频率的升高而下降，相位差随着频率的升高而增大。 β截止频率fβ= 。 τe0为载流子从发射极到集电极总的传输延迟时间 fβ与fα的关系： 可以看出 。 说明：共射短路电流放大系数β比共基短路电流放大系数α下降更快。 因此，共基电路比共射电路频带更宽。 ;晶体管的特征频率fT= 。 提高特征频率的途径有哪些？ ;二、 晶体管高频等效电路;三、高频功率增益和最高振荡频率;三、高频功率增益和最高振荡频率;四、晶体管的大电流特性;四、晶体管的大电流特性;四、晶体管的大电流特性;五、晶体管的最大耗散功率和热阻;六、功率晶体管的二次击穿和安全工作区;六、功率晶体管的二次击穿和安全工作区;第 5 章;一、二极管的开关作用和反向恢复时间;二、开关晶体管的静态特性 ;二、开关晶体管的静态特性 ;二、开关晶体管的静态特性 ;二、开关晶体管的静态特性 ;三、 晶体管开关的动态特性;三、 晶体管开关的动态特性;第6章 双极型晶体管的设计;第6章 双极型晶体管的设计