雷射二极体之影响.PDFVIP

不同位置之電子阻擋層對1310-nm磷砷化鎵銦 雷射二極體之影響 文/王泰鈞、黃滿芳 本文是以模擬軟體利用理論分析之方式來探討不同位置之電子阻擋層（electron stopper layer, ESL ）對發光 波長為 1310-nm之磷砷化鎵銦 （InGaAsP ）雷射二極體之影響。主要是將電子阻擋層放在兩個不同位置做比較， 其中一個位置位於p型披覆層（ p-cladding layer ）與光侷限層（separated confinement heterostructure layer; SCH layer ）之界面；另一位置為量子井（quantum well ）與靠近p型披覆層的光侷限層之界面。由計算結果得知， 電子阻擋層無論位在哪一個位置皆可以有效的改善雷射二極體的特性。當電子阻障層位於量子井與靠近 p 型 披覆層的光侷限層之界面時，易使載子侷限於光侷限層，而造成縱向與橫向之電子溢流過大，使得量子轉換 效率（slope efficiency ）降低。最後，當電子阻擋層位於披覆層與p型光侷限層之界面為最佳位置。 一、前言 及 較 低 的 conduction band offset ， 所 以 Auger recombination 及載子溢流的現象成為支配此雷射特性 近年隨著光纖通訊的蓬勃發展而使得發光波長 好壞的兩大主因。而光子損失的部分主要包含了 free 850-nm 、1310-nm 及 1550-nm 之半導體雷射有被重視 carrier absorption 及 Inter Valance Band Absorption 的機會[1]。發光波長 1310-nm 的雷射光在 SiO2 光纖 （IVBA ）[12-16] 。 中有最低之單模色散（dispersion ）[1]。發光波長為 1310 nm 之Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體中，又以 InGaAsP/InP 材 過去已有大量的文獻探討利用活性區的形變應力 料系統最被廣泛應用於長程光纖通訊之光源。但此材 （strain ）來改變能帶結構[17-18]，使重電洞等效質量 料系統有較小的 conduction band offset (∆E =0.4∆E ) （effective mass ）下降，導致能量狀態密度（density of c g 〔2 〕，所以對溫度的敏感性極高，當在高溫下操作時， state ）下降，使臨界載子密度 （threshold carrier density ） 雷射二極體之特性急遽下降，也因此近十年來有大量 下降，也因此降低雷射二極體之臨界電流。應力除了 的文獻針對此一缺點提出許多改進的方式。近幾年也 有上述優點外，也因為電洞等效質量的下降而使得 有其他具有較高 conduction band offset 的材料系統被 Auger recombination 及 IVBA 得以獲得改善。 提出，如：AlGaInAs/InP〔3-6 〕及 InGaAsN/GaAs〔7-10 〕 而改善載子溢流的方式除了選用 conduction band 等。但此新興材料系統在磊晶製程上有其困難點，含 offset 較大的材料系統外，亦可以在 p 型披覆層做大量 鋁成分易於磊晶過程中與氧產生結合行成缺陷，而含 的摻雜，藉此提高光侷限層與 p 型披覆層之界面能障 氮成分也因其氮原子遠小於其他三者，在長晶過程中