第十五讲金属-半导体结(续),10月7,2002.pdfVIP

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第十五讲金属-半导体结(续),10月7,2002

2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 第十五讲金属－半导体结（续）， 10 7 2002 月，内容： 1. 在平衡之外的理想的金属半导体结（续）阅读作业： del Alamo Ch. 6，§6.2.3 研讨会： 10 1 IBM CMOS J. Welser, IBM Rm. 34-101 4 PM. 月日：的高性能设计，；，通知： 1 10 10 Rm. 50 340 Walker 7 30 9 30 PM 1 13 测验：月日，－（）：：－：；内容为第－讲（一直到金属半导体结）。开卷。要求带计算器。 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 主要问题  - 一个金属半导体结在偏压下，会有电流吗？如果这样，它是如何发生的？  - 在金属半导体结中电流的主要决定因素是什么？  采用玻尔兹曼关系在平衡之外的SCR有多么恰当？ 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo 1. 平之外的M-S结（续） □ I-V特性：如何地方的少数载流子→多数载流子器件瓶颈：通过SCR传输 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo  在正向偏置，J eq V / kT  J V 在反向偏置，随达到饱和在SCR 电子的漂移和扩散间的平衡：  TE ：完全的平 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A. del Alamo  ε 正向偏置：扩散漂移  ε 反向偏置：扩散漂移由于漂移和扩散的净电流 - □ 漂移扩散模型起始的电子电流方程： qφ 乘以exp(− ) ： kT 沿耗尽区积分： 2002 秋季 6.720J/3.43J 集成微电子器件 Prof. J. A.