富si的sin薄膜光致发光及电致发光研究 research on photoluminescence and electroluminescence of si-rich sin films.pdfVIP

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2017-08-13 发布于上海
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富si的sin薄膜光致发光及电致发光研究 research on photoluminescence and electroluminescence of si-rich sin films.pdf

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富si的sin薄膜光致发光及电致发光研究 research on photoluminescence and electroluminescence of si-rich sin films

艺技术与材料富Si的SiN薄膜光致发光及电致发光研究黄建浩，李东升，王明华，杨德仁 (浙江大学材料科学与工程系硅材料国家重点实验室，杭州310027) 摘要：采用等离子体化学气相沉积法(PECVD)制备了三种不同化学计量比的富si的SiN薄膜，并对其光致发光及电致发光性能进行了研究。研究发现，随着si含量的增加，薄膜的光致发光峰位从460 nm红移到610nm，且半高宽不断增加；而薄膜的电致发光峰位并没有随着si含量的改变而变化，始终处于600nm附近，这主要是由于富Si的siN薄膜的光致发光与电致发光的机理是不同的。光致发光来源于SiN薄膜缺陷态能级之间辐射复合，而电致发光则是由注入的裁流予先迟豫到较低的缺陷态能级，然后经过辐射复合而得到。关键词：富硅氮化硅；光致发光；电致发光；缺陷态能级中图分类号：0482．31文献标识码：A ResearchonPhotoluminescenceandElectroluminescence Films ofsi-RichSiN Jianhao，Li Deren Huang Dongsheng，WangMinghua，Yang Silicon Scienceand (State研胁．ofMaterials，玖妒删矿Materials Engineed磐，历咖University，Hangzhou310027，‰) Abstract：Si．richSiNfilmswithdi讹rentexces$Siconcentrationswere PECVDunder depositedby different flow oftheSiconcentrationsthe PL shifts NH3／SiH4gas ratios．W怂theincrease peal【ofspectra of 600 be from460rimto610nm。butthe EL remainsat nm．髓eobservedPLcall peak spectra explained 鹪therecombinationviadefectstatesinsiliconnitride．whiletheELcanbeattributedtotherelaxationof down defect duetotheir recombinationlifetime． carriersthelower statesbeforerecombination injected longer words：Si·rich states Key EEACC：4220 成电路的发展h-s】。一个长远、彻底的解决办法就 0 引言是在芯片内部采用光子传输，如果能在si芯片中随着信息技术的发展，信息量以几何速度增引入光电子技术，用光子代替电子作为信息载体