CCD与COMS之比较.docVIP

感光元件 CCD及CMOS对比介绍 1CCD和CMOS物理结构区别 CCD 英文全名 Charge Coupled Device，感光耦合元件，CCD为数码相机中可记录光线变化的半导体，通常以百万像素〈megapixel〉为单位。数码相机规格中的多少百万像素，指的就是CCD的解析度，也代表着这台数位相机的 CCD 上有多少感光元件。 CCD 主要材质为硅晶半导体，基本原理类似 CASIO 计算机上的太阳能电池，透过光电效应，由感光元件表面感应来源光线，从而转换成储存电荷的能力。CCD 元件上安排有通道线路，将这些电荷传输至放大解码原件，就能还原 所有CCD上感光元件产生的信号，并构成了一幅完整的画面。 CMOS 英文全名 Complementary Metal-Oxide Semiconductor，互补性氧化金属半导体，CMOS和CCD一样同为在数码相机中可记录光线变化的半导体 ，外观上几乎无分轩轾。但，CMOS的制造技术和CCD 不同，反而比较接近一般电脑晶片。CMOS的材质主要是利用硅和锗这两种元素所做成的半导体，使其在CMOS上共存着带N（带 – 电） 和 P（带 + 电）级的半导体，这两个互补效应所产生的电流即可被处理晶片纪录和解读成影像。 图1CCD与COMS原件实物图 2CCD与CMOS结构对比 CMOS 对抗 CCD的优势在于成本低，耗电需求少, 便于制造, 可以与影像处理电路同处于一个晶片上。但由于上述的缺点，CMOS 只能在经济型的数码 相机市场中生存。 比较 CCD 和 CMOS 的结构，放大器的位置和数量是最大的不同之处,简单地解释：CCD 每曝光一次，自快门关闭或是内部时脉自动断线（电子快门）后，即进行像素转移处理，将每一行中每一个像素（pixel）的电荷信号依序传入『缓冲器（电荷储存器）』中，由底端的线路导引输出至 CCD 旁的放大器进行放大，再串联 ADC（类比数字模拟转换器） 输出；相对地，在CMOS传感器中，每个象素都会邻接一个放大器及A/D转换电路，用类似内存电路的方式将数据输出。 CCD 与 CMOS 感光元件之优缺点比较. ? CCD CMOS 设计 单一感光器 感光器连结放大器 灵敏度 同样面积下较高 感光开口小 灵敏度低 成本 高 低 解析度 结构复杂度低解析度高 传统技术较低 噪声 多元放大器 噪声低 误差大 噪声高 耗能比 需外加电压导出电荷，耗能高 像素直接放大，耗能低 反应速度 慢 快 由于构造上的基本差异，我们可以看出CCD和CMOS在性能上的不同： CCD的特色在于充分保持信号在传输时不失真（专属通道设计），透过每一个像素集合至单一放大器上再做统一处理，可以保持信号的完整性；CMOS的制造较简单，没有专属通道的设计，因此必须先行放大再整合各个像素的信号。 3CCD与CMOS成像效果对比 整体来说，CCD 与 CMOS 两种设计的应用，反应在成像效果上，形成包括 ISO 感光度、制造成本、解析度、噪声与耗电量等，不同类型的差异对比如下： ISO感光度差异：由于 CMOS 每个像素包含了放大器与A/D转换电路，过多的额外设备压缩单一像素的感光区域的表面积，因此在相同像素下，同样大小之感光器尺寸，CMOS的感光度会低于CCD。 成本差异：CMOS 应用半导体工业常用的 MOS工艺，可以一次整合全部周边设施于单晶片中，节省加工晶片所需负担的成本和效率的损失；相对地 CCD 采用电荷传递的方式输出，必须另开传输通道，如果通道中有一个像素故障（Fail），就会导致一整排的信号壅塞，无法传递，因此CCD的效率比CMOS低，加上另开传输通道和外加 ADC 等周边，CCD的制造成本相对高于CMOS。 解析度差异：在第一点『感光度差异』中，由于 CMOS 每个的结构比 CCD 复杂，其感光开口不及CCD大，相对比较相同尺寸的CCD与CMOS感光器时，CCD感光器的解析度通常会优于CMOS。不过，如果跳脱尺寸限制，目前业界的CMOS 感光原件已经可达到1400万 像素 / 全片幅的设计，CMOS 技术在量率上的优势可以克服大尺寸感光原件制造上的困难，特别是全片幅 24mm-by-36mm 这样的大小。 噪声差异：由于CMOS每个感光二极体旁都搭配一个 ADC 放大器，如果以百万像素计，那么就需要百万个以上的 ADC 放大器，虽然是统一制造下的产品，但是每个放大器或多或少都有些微的差异存在，很难达到放大同步的效果，对比单个放大器的CCD，CMOS最终计算出的噪声就比较多。 耗电量差异：CMOS的影像电荷驱动方式为主动式，感光二极体所产生的电荷会直接由旁边的电晶体做放大输出；但CCD却为被动式，必须外加电压让每个像素中的电荷移动至传输通道。而这外加电压通常需要12伏特（V）以上的水平，因此