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半导体参数意义 一、半导体二极管参数符号及其意义 CT势垒电容 Cj结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电 容 Cjv偏压结电容 Co零偏压电容 Cjo零偏压结电容 Cjo/Cjn结电容变化 Cs管壳电容或封装电容 Ct总电容 CTV 电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变 化之比 CTC 电容温度系数 Cvn标称电容 IF正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF 下， 通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连 续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大 正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF （AV ）正向平均电流 IFM （IM）正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管 的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。 IH恒定电流、维持电流。 Ii 发光二极管起辉电流 IFRM正向重复峰值电流 IFSM正向不重复峰值电流（浪涌电流） Io整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流 IF(ov)正向过载电流 IL光电流或稳流二极管极限电流 ID暗电流 IB2单结晶体管中的基极调制电流 IEM发射极峰值电流 IEB10双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流 IEB20双基极单结晶体管中发射极向电流 ICM最大输出平均电流 IFMP正向脉冲电流 IP峰点电流 IV谷点电流 IGT 晶闸管控制极触发电流 IGD 晶闸管控制极不触发电流 IGFM控制极正向峰值电流 IR （AV ）反向平均电流 IR （In）反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流； 硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅 开关二极管两端加反向工作电压VR 时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下， 产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。 IRM反向峰值电流 IRR 晶闸管反向重复平均电流 IDR 晶闸管断态平均重复电流 IRRM反向重复峰值电流 IRSM反向不重复峰值电流（反向浪涌电流） Irp反向恢复电流 Iz稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流 Izk稳压管膝点电流 IOM最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在 电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流 IZSM稳压二极管浪涌电流 IZM最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流 iF正向总瞬时电流 iR反向总瞬时电流 ir反向恢复电流 Iop工作电流 Is稳流二极管稳定电流 f频率 n 电容变化指数；电容比 Q优值（品质因素） δ vz稳压管电压漂移 di/dt通态电流临界上升率 dv/dt通态电压临界上升率 PB承受脉冲烧毁功率 PFT （AV ）正向导通平均耗散功率 PFTM正向峰值耗散功率 PFT正向导通总瞬时耗散功率 Pd耗散功率 PG 门极平均功率 PGM 门极峰值功率 PC控制极平均功率或集电极耗散功率 Pi输入功率 PK最大开关功率 PM额定功率。硅二极管结温不高于150 度所能承受的最大功率 PMP最大漏过脉冲功率 PMS最大承受脉冲功率 Po输出功率 PR反向浪涌功率 Ptot总耗散功率 Pomax最大输出功率 Psc连续输出功率 PSM不重复浪涌功率 PZM最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率 RF （r）正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的 非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V ，正向电流相应增加△I， 则△V/△I 称微分电阻 RBB双基极晶体管的基极间电阻 RE射频电阻 RL负载电阻 Rs(rs) 串联电阻 Rth热阻 R(th)ja结到环境的热阻 Rz(ru)动态电阻 R(th)jc结到壳的热阻 r δ 衰减电阻 r(th)瞬态电阻 Ta环境温度 Tc壳温 td延迟时间 tf下降时间 tfr正向恢复时间 tg 电路换向关断时间 tgt 门极控制极开通时间 Tj结温 Tjm最高结温 ton开通时间 toff关断时间 tr上升时间 trr反向恢复时间 ts存储时间 tstg温度补偿二极管的贮成温度 a温度系数 λ p发光峰值波长 △ λ 光谱半宽度 η 单结晶体管分压比或效率 VB反向峰值击穿电压 Vc整流输入电压 VB2B1基极间电压 VB