基于多价离子束流的高能量注入工艺研究 high-energy ion implantation technique based on multiple charged ion beams.pdfVIP

工艺技术与材料 1．008 doi：10．3969／j．issn．1003—353x．2010．1 基于多价离子束流的高能量注入工艺研究 徐敏杰1，丁伯继2，崔建2，王旭2，蔡雪原1，杨建红1 (1．兰州大学物理学院，兰州730000；2．杭州士兰集成电路有限公司，杭州310018) 摘要：针对专用高能量注入设备价格昂贵、维护成本高等问题，研究了一种基于二价、三价 离子束流提升中低能设备能量上限的离子注入工艺。利用离化质量分析谱线分析了多价离子的筛 选，介绍了元素沾污和能量沾污的工艺风险及其防治方法，设计了多价离子和单价离子注入的对 比实验。结果表明，在注入到硅片的多价离子与单价离子总能量相等的条件下，二者注入结深一 致，测试片的方块电阻差异仅为2．5％，验证了此工艺的可行性，以期达到充分发挥设备潜力、 优化产品工艺的目的。 关键词：多价离子；离子注入；高能量；离化质量分析谱线；沾污 文献标识码：A 中图分类号：TN305．3 Ion