BIST技术及其在Memory中的应用.pdfVIP

第24卷第4期增刊 仪 器 仪 表 学 报 2003年8月 BIST技术及其在Memory中的应用 TN斗 自 汪 ;J 辛晓宁1.2 王 宏 ‘马纪虎， ，(中科院沈阳自动化研究所 沈阳 110016)(沈阳化工学院信息工学院 沈阳 110142) 摘要 阐述内建自检测(BIST)技术的特点、结构和原理，并介绍其在Memory单元电路中的实现过程. 关扭词 内建自检测 线性反馈移位寄存器 特征分析 Memory BISTTechniquesandItsApplicationsinMemory Wang YingXinXiaoning2Wang HongMaJihu (ShenyangInstituteofAutomation,ChineseAcademyofSciences,Shenyang110016,China) (InformationEngineeringSchool,ShenyangInstituteofChemicalTechnology,Shenyang110142,China) AbstractWeexpoundthetechniques,structureandprincipleofBIST.Then,weillustratethedesignprocessin MemorywithBIST. Keywords BIST LFSR Signatureanalysis Memory 1 引 言 操 有效验证电路功能及检测加工故障IC设计和研 一 。 究人员的主要课题之一，制造测试以检测断线、短接等 加工故障为主要任务，同时可辅助完成产品级逻辑及 押 时序验证，先期制造测试由专用测试设备完成，因其测 试费用高、测试周期长及故障定位较难而逐渐被可测 性设计所取代，可测性设计的新技术BIST具有层次 某级BIST电路 化测试、测试周期短、多模块并进行测试等特点，在集 图1BIST结构框图 成度逐步提高,SOC设计普遍应用的IC制造业得到 广泛应用。 2.2 BIST原理 2BIST结构及原理 测试信号发生器产生输入给被测电路((CUT)的 测试序列，发生器可以是硬件电路ROM,LFSR(Lin- 2.1BIST电路结构 earFeedbackShiftRegister)、二进制计数器、改进计 BIST指电路有自行发出测试信号，自行检查输出 数器、ROM与LFSR组合电路及细胞自动机等，这些 的能力，通过在被测电路上加入测试信号发生器、输出 序列可以是穷举测试序列、伪穷举测试序列、伪随机测 响应分析器和测试控制器实现，为保证测试的完成，还 试序列((PTPG)、加权伪随机测试序列、细胞自动生成 需加入必要的辅助电路如多路选择器等。电路结构框 序列 实际电路中通常用LFSR产生穷举测试序列和 图如图1所示 伪随机测试序列，穷举测试序列的故障覆盖率可达 100 ，但因其测试量较大，只应用在输入端较少的电 路中。伪随机