IGBT5XT技术以及高功率密度设计.PDF

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2017-08-12 发布于天津
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IGBT5XT技术以及高功率密度设计

IGBT5 .XT技术以及高功率密度设计 Power seminar 上海研讨会马嗣超议程 1 基本介绍 – IGBT5下一代高结温产品 2 IGBT5 电气特性和应用特点 3 IGBT5 开关损耗和开关特性比较和优势 4 IGBT5 系统设计优点和测试评估 5 总结 2015-05-19 Copyright © Infineon Technologies AG 2016. All rights reserved. 2 议程 1 基本介绍 – IGBT5下一代高结温产品 2 IGBT5 电气特性和应用特点 3 IGBT5 开关损耗和开关特性比较和优势 4 IGBT5 系统设计优点和测试评估 5 总结 2015-05-19 Copyright © Infineon Technologies AG 2016. All rights reserved. 3 IGBT5芯片技术 1）降低厚度，减少损耗 2）改善热特性，确保短路能力3）高电流密度，提升结温工业用IGBT模块Tvjop的演变过去目前下一代 › 基于可靠性的考虑, 工业用IGBT模块的工作温度Tvjop会比Tvjmax低25C › Tvj op 由过去的125C 提升到目前最高的150C ，IGBT5 下一代会达到175C 6/12/2016 Page 5 芯片电流密度与结温Tvj IGBT5 PrimePACK™ 模块 PrimePACK™ FF1200R12IE5 PrimePACK™ FF1800R17IP5 PrimePACK™ 2 PrimePACK™ 3+ 1200A 1800A +33% +28% – 1400A 900A 5 5 – – – – T E 4 4 5 5 4 4 4 4 B T P T P T E T P G B B I B B G G G G I I I I