半导体器件物理TFT资料.pptxVIP

第六章 薄膜晶体管（TFT） 主要内容 （1）TFT的发展历程 （2）TFT的种类、结构及工作原理 （3）p-si TFT的电特性 （4）p-si TFT的制备技术 （5）TFT的应用前景 TFT的发展历程 （1）1934年第一个TFT的发明专利问世-----设想. （2）TFT的真正开始----1962年，由Weimer第一次实现. 特点：器件采用顶栅结构，半导体活性层为CdS薄膜.栅介质层为SiO,除栅介质层外都采用蒸镀技术. 器件参数：跨导gm=25 mA/V,载流子迁移率150 cm2/vs,最大振荡频率为20 MHz. CdSe----迁移率达200 cm2/vs TFT与MOSFET的发明同步，然而TFT发展速度及应用远不及MOSFET?! TFT的发展历程 （3）1962年，第一个MOSFET实验室实现. （4）1973年，实现第一个CdSe　TFT-LCD(6*6)显示屏.-----TFT的迁移率20 cm2/vs,Ioff=100 nA.之后几年下降到1 nA. （5）1975年，实现了基于非晶硅-TFT.随后实现驱动LCD显示. ----迁移率＜1 cm2/vs,但空气（H2O,O2)中相对稳定. （6）80年代,基于CdSe,非晶硅 TFT研究继续推进.另外，实现了基于多晶硅TFT，并通过工艺改进电子迁移率从50提升至400. ---当时p-SiTFT制备需要高温沉积或高温退火. ---a-Si TFT因低温、低成本，成为LCD有源驱动的主流. （7）90年代后，继续改进a-Si,p-Si TFT的性能，特别关注低温多晶硅TFT制备技术.----非晶硅固相晶化技术.有机TFT、氧化物TFT亦成为研究热点.---有机TFT具有柔性可弯曲、大面积等优势. TFT发展过程中遭遇的关键技术问题？ 低载流子迁移率 稳定性和可靠性 低温高性能半导体薄膜技术 低成本、大面积沉膜 挑战：在玻璃或塑料基底上生长出单晶半导体薄膜！ TFT的发展历程 TFT的种类 按采用半导体材料不同分为： 无机TFT 有机TFT 化合物:CdS-TFT,CdSe-TFT 氧化物:ZnO-TFT 硅基:非晶Si-TFT,多晶硅-TFT 基于小分子TFT 基于高分子聚合物TFT 无/有机复合型TFT：采用无机纳米颗粒与聚合物共混　 　　　　　　　　　制备半导体活性层 TFT的常用器件结构 双栅薄膜晶体管结构 薄膜晶体管的器件结构 TFT的工作原理 一、MOS晶体管工作原理回顾 当|VGS||VT|,导电沟道形成.此时当VDS存在时，则形成IDS. 对于恒定的VDS,VGS越大,则沟道中的可动载流子就越多,沟道电阻就越小,ID就越大.即栅电压控制漏电流. 对于恒定的VGS,当VDS增大时，沟道厚度从源极到漏极逐渐变薄,　引起沟道电阻增加,导致IDS增加变缓.当VDS＞VDsat时,漏极被夹断,而后VDS增大，IDS达到饱和. 工作原理：与MOSFET相似,TFT也是通过栅电压来调节沟道电阻，从而实现对漏极电流的有效控制. 与MOSFET不同的是：MOSFET通常工作强反型状态,而TFT根据半导体活性层种类不同,工作状态有两种模式： 　对于a-Si TFT、OTFT、氧化物TFT通常工作于积累状态. 对于p-Si TFT工作于强反型状态. 工作于积累状态下原理示意图 TFT的工作原理 TFT的I-V描述 在线性区,沟道区栅诱导电荷可表示为 在忽略扩散电流情况下，漏极电流由漂移电流形成，可表示为 …….（1） …….（2） (1)代入(2)，积分可得： …….（3） 当VdVg时,(3)式简化为 在饱和区(VdVg-Vth),将Vd＝Vg-Vth代入(3)式可得： …….（4） p-Si TFT的电特性 1. TFT电特性测试装置 p-Si 高掺杂p-Si 2. p-Si TFF器件典型的输出和转移特性曲线 转移特性反映TFT的开关特性,VG对ID的控制能力. 输出特性反映TFT的饱和行为. 特性参数：迁移率、开关电流比、关态电流、阈值电压、跨导 3. p-Si TFF中的Kink 效应 机理: 高VD （VDVDsat）时,夹断区因强电场引起碰撞电离所致. 此时ID电流可表示为: 为碰撞电离产生率,与电场相关,类似于pn结的雪崩击穿. 4. Gate-bias Stress Effect (栅偏压应力效应） 负栅压应力 正栅压应力 现象1：阈值电压漂移. 负栅压应力向正方向漂移,正栅压应力向负方向漂移. 产生机理：可动离子漂移. 负栅压应力 正栅压应力 现象2：亚阈值摆幅(S)增大. 机理：应力过程弱Si-Si断裂,诱导缺陷产生. 5. p-Si TFF C-V特性 下图为不同沟长TFT在应力前后的C-V特性 自热应力 BTS(