不同封装方式对肖特基二极管高频性能的影响-强激光与粒子束.PDF

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 , 27 1 Vol.27 No.1 年 月 , 2015 1 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Jan. 2015 不同封装方式对肖特基二极管高频性能的影响* , , 12 3 12 赵 妍 , 马毅超 , 吴卫东 ( , ; 1.中国工程物理研究院 激光聚变研究中心 四川 绵阳 621900 , ; , ) 2.中国工程物理研究院 太赫兹研究中心 四川 绵阳 621900 3.陕西科技大学 光电系 西安 710021 : , 摘 要 肖特基二极管是太赫兹接收机的关键器件 通过在高频下对不同封装形式的肖特基二极管进行 , 。 , 建模仿真 研究不同封装方式对肖特基二极管性能的影响 首先通过建立肖特基二极管的仿真模型 在高频结 , , 构仿真软件 中对肖特基二极管在 频段进行仿真 得到该肖特基二极管的 参数 并对 参 HFSS 0~120GHz S S , 。 数仿真结果和实测结果进行对比 证明了该二极管模型的准确性 然后分别建立肖特基二极管的普通封装模 ( ) , , 型和肖特基二极管的倒装芯片 flichi 封装模型 并对这两种封装模型进行仿真 得到其在两种不同封装结 p p - , 。 , 构下的 参数 进而对两种不同封装方式的 参数的 带宽以及相位一致性进行对比分析 最终 对应 S S -3dB , 用于太赫兹波段的肖特基二极管由于封装不同而带来的带宽以及相位的区别及其成因进行分析 论证了fli p- , , chi封装更适合应用于太赫兹波段的肖特基二极管 与普通封装相比 该封装在高频下对肖特基二极管的电性 p 能有