亲疏水处理度对于gaasgan键合界面透光性的影响 effect of hydrophilic and hydrophobic processes on the transmittance of a gaasgan bonding interface.pdfVIP

第28卷第7期 半导体学报 Voi．28No．7 2007年7月 CHINESEJOURNALOFSEMICONDUCTORS July，2007 亲疏水处理度对于GaAs／GaN键合 界面透光性的影响* 郭 晶+ 郭 霞 梁 庭 顾晓玲林巧明 沈光地 (北京工业大学电控学院北京市光电子技术实验室，北京100022) 摘要：采用亲疏水两种不同的处理方法，在氮气保护、600。C热处理1h条件下，成功实现了GaN和GaAs异质材料 的键合，两种处理方法均可满足器件对于键合强度及键合面积的要求．从亲疏水键合机理的不同出发，研究了两种 处理方法对于界面透光性的影响，对键合样品进行了可见光透射谱测试，实验结果表明疏水键合界面对于垂直入 射的630nm的光可以获得高达94．7％的透过率，并将键合样品加工成器件进行电致发光(EL)谱测试，实验结果与 透射谱测试结果一致． 关键词：键合；亲疏水处理；GaAs／GaN；透过率 PACC：3520G 中图分类号：TN405．96文献标识码：A 文章编号：0253．4177(2007)07—1092．05 件的性能，因此，对于界面光特性的研究是十分有意 1 引言 义的．本文通过亲水和疏水两种不同的预处理方法， 对GaAs／GaN键合界面的透光性进行了分析和研 近年来，随着键合技术的不断发展，晶格失配半 究．通过对样品进行透射谱及EL谱测试，证明疏水 导体材料的键合技术在制备异质结构器件方面取得 键合界面由于其键合机理，可获得更高的光透过率． 了很大的成果，面使用这种技术制备器件的优越性 是很难通过其他传统方法(如外延生长)来实现 2 实验 的[1~4]．随着Si材料键合技术的成熟，Ⅲ．V族化合 物半导体材料的键合技术也逐步发展起来[5~7]．在 这些Ⅲ．V族化合物半导体材料中，GaAs和GaN是 两种典型的半导体材料，具有不同的物理化学性质． GaAs和GaN二者均为直接带隙材料．室温下 GaAs的禁带宽度为1．424eV，其合金材料的发光 范围在红光到红外范围，而且载流子迁移率高；而 GaN得 底上生长2弘m的未掺杂GaN和1弘m的P GaN的禁带宽度为3．45eV，其合金材料的发光范围到的．为了更好的辨别样品的晶格方向，键合样品尺 从紫外到绿光范围，而且耐高温，反向击穿电压高．两 寸均取为7．5mm×8mm．将待键合的两晶片首先经 种材料均具有非常优越的性质，因此，将两者结合则 过丙酮、乙醇煮沸，去离子水清洗．对于亲水处理的 为制造新型微电子、光电子器件开辟了新思路． 样品，吹干之后经过。等离子体表面活化处理 目前对于键合界面的微结构、化学成分的研究 已经取得了一定的进展E8-103，但是对于键合界面的染物，清洗后将两晶片面对面地在甲醇中贴合，放人 透光特性，尤其是对采用不同处理方法的键合界面 特定的夹具中；对于疏水处理的样品，将清洗后的样 透光特性的讨论和研究几乎没有展开。同时鉴于 品先放入浓氨水中浸泡5min去除表面碳氢污染 GaAs，GaN材料在微电子及光电子领域的广泛应 物，后经过HF酸溶液浸泡15min，清洗吹干后同样 用前景，键合界面的特性又将直接影响各种新型器 放入相同的夹具中．将承载待键合样品的夹具(压力 秀博士论文基金(批准号：200542)资助项目 t通信作者．Email：maggiejingjing@gmail．