基于大电流密度下欧姆接触退化的新方法-北京工业大学学报.PDF

第34卷第12期 北京工业大学学报 VoI．34No．12 UNIVERSITYOFTECHNOLOGY 2008年12月 JOURNALOFBEIJING Dec．2008 基于大电流密度下欧姆接触退化的新方法 冯士维，张跃宗，孟海杰，郭春生，张光沉，吕长志 (北京工业大学电子信息与控制学院，北京100022) 摘要：在大电流密度下对欧姆接触结果进行考核，对传统的传输线法测量接触电阻率的结构与方法进行了改 进．充分考虑到了半导体材料受到的影响。可达到只对接触区域老化而不破坏其他区域．工艺制备中实现台面 刻蚀斜坡效果，并采取多次Si02淀积多次光刻技术，有效降低了引线电极断裂的概率．通过大电流密度老化结 果显示：接触电阻率早期快速失效，且随电流密度及老化时间的增加而退化加剧．对样品老化前后进行能谱分 析得知：接触层中的～是一种较低的抗电迁移能力的金属．由于电迁移被冲击出来从而破坏了良好接触层．改 进后的结构对测量大电流密