Al／SiCP电子封装材料嵌入金属元件的组织与性能研究.pdfVIP

下半月出版 MaterialHeat Treatment~材料热处理技术 ●材料研究● AI／SiCP电子封装材料嵌入金属元件的组织 与性能研究 张志庆．于家康 (西北工业大学 凝固技术国家重点实验室，陕西 西安 710072) 摘 要：采用气压浸渗技术完成了A1／SiC 电子封装材料嵌入金属元件的制备。应用能谱分析、XRD观察了 界面层微观组织，并对界面连接强度进行了抗弯强度性能测试。结果表明，在制备A1／SiC 电子封装材料的同时， 可以实现复合材料与固态金属(FeNi50、Ti)的可靠连接。A1／SiCP／FeNi50界面层生成 Al i、FeA13、AlNi金属间化 合物，厚度约40 m。预制型预热温度低于730℃时，AI／SiCP／Ti界面没有A1／Ti金属间化合物生成，界面抗弯强 度可达AI／SiC 的59％~80％。 关键词：AI／SiCp；气压浸渗；界面层；抗弯强度 中图分类号：TB33 文献标识码：A 文章编号：l001．3814(2008)02．0001．04 Study on Microstructure and Properties of AI I SiCr Electronic Packaging Materials Embedded Metal Comlmnents ZHANG Zhiqing．YU Jiakang (State KeyLab．ofSolidificationProcessing,NorthwesternPolytechnical University,Xian 710072，China) Abstract：A1|SiCP electronic packaging materials embedded metal components were fabricated by gas pressure infiltration．The microstmcture ofinterfacial film Was observed by EDS and XRD，the joint strength was tested．The results show that，during the fabrication process of A1／SiCP electronic packaging materials，the reliable joint between composite and solid metal(FeNi50，Ti)Can be realized．Intermetallic compound,including A1 i，FeA13 and AINi，are found in the Al／SiCP／FeNi50 interface，and the thickness is about 40 m．Intermetallic compound does not generate in 、|SiCP|Ti interface，and interface bend strength is、 to 59％-80％ ofthat of A1|SiCp when preform preheating temperatureisbelow 730℃． Key words：A1／SiCP；gas pressure infiltration；interfacial film；bend strength A1／SiC 电子封装材料具有热膨胀系数小、导 进的工艺(搅拌摩擦焊、瞬间液相连接)能部分解 热性高、高比强度和比刚度等优异的物理和力学 决上述问题，但成本过高，工序复杂。 性能，且制造方法简单、成本低，在航空、航天及电 目前．一种新的连接方法——同步成型技术 子封装等领域具有广阔的应用前景【’-2]。但A1／SiC 开始在复合材