四探针和eit测试微区薄层电阻的研究与进展 rd on the technique for determining the resistivity of micro areas sheet based on four-point probe and eit.pdfVIP

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2017-08-14 发布于上海
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四探针和eit测试微区薄层电阻的研究与进展 rd on the technique for determining the resistivity of micro areas sheet based on four-point probe and eit.pdf

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四探针和eit测试微区薄层电阻的研究与进展r

趋势攫咿四探针和ElT测试微区薄层电阻的研究与进展谢辉h，刘新福1b，贾科进h，闰德立2，田建来h (1．河北工业大学a．信息工程学院；b．机械工程学院，天津300130； 2．石家庄市铁道学院计算机科学与技术系，石家庄050043) 摘要：论述了一种测试大型硅片电阻率均匀性的新方法——电阻抗成像技术(Err)。给出了四探针的基本原理，指出EIT的基本思想来源于四探针技术。对EIT的基本原理和重建算法在理论上进行了描述，提出可将其应用于微区薄层电阻测试，并对EIT在大型硅片微区薄层电阻率均匀性测试技术上的系统应用做了进一步探索。关键词：四探针法；电阻抗成像；微区薄层电阻文献标识码：A 中图分类号：7rN306 文章编号：1003．353x(2007)05．369．05 RD佣the 1bchIliquefor喇加血illg龇R醯tivi锣of Micr0Are躯Sh∞tBased0nFour·POint ProbeandEIT XIE Huih，I』UⅪn一矗11b，JIAKe．jinla，YANDe．1i2，TIANJiall．1aih (1。．＆^砌0，埘b珊Ⅲ抽nD研，瑚咖； 16 s‰z 300130，c埘w； 0，胁曲帆妇z凸洲n唧t昭，胁i№时o，死曲蝴，7缸耐n Abs删：Anewlnethod：electdcal desedbedfor Ihe imped蛐cetomography(EIT)i8detemdning of thin of se耐eonductor唧如博且nd nle di8tdbution越re9i吼ivily conduc虹“g疗lms．7nIe pdneiplefour-point I矾asurement iti8 outth8tthe ofEITis from肭exte嘣onof is腭v脚ed，and probe p蕊nted teehnique grown tlle m船uTement．neb船ic ofErr丑nd tlleory inhoduc乩and four．ponpmbe recon8tmctioⅡa190甜珊a工e itis thatitcan tome踟I_eIⅡicma弛a 0fErr prop08ed be印phed she吐nsisdv畸．And吐led商驴i“g system 0f for thedi8tdbuti蚰of eel【liconductorw“br8andthin are 叩plieddetemdni“g resistivity