LDMOS介绍课件.ppt

LDMOS（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor);简介;LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor；横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用，也使得LDMOS的技术不断成熟，成本不断降低，因此今后在多数情况下它将取代双极型晶体管技术。与双极型晶体管相比,LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6dB,采用LDMOS管的PA模块的增益可达60dB左右。这表明对于相同的输出功率需要更少的器件，从而增大功放的可靠性。　　LDMOS能经受住高于双极型晶体管3倍的驻波比，能在较高的反射功率下运行而没有破坏LDMOS设备；它较能承受输入信号的过激励和适合发射数字信号，因为它有高级的瞬时峰值功率。LDMOS增益曲线较平滑并且允许多载波数字信号放大且失真较小。LDMOS管有一个低且无变化的互调电平到饱和区，不像双极型晶体管那样互调电平高且随着功率电平的增加而变化。这种主要特性允许LDMOS晶体管执行高于双极型晶体管二倍的功率，且线性较好。LDMOS晶体管具有较好的温度特性温度系数是负数，因此可以防止热耗散的影响。这种温度稳定性允许幅值变化只有0.1dB，而在有相同的输入电平的情况下，双极型晶体管幅值变化从0.5~0.6dB,且通常需要温度补偿电路。 LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。1971年Y.Tarui等人提出了横向双扩散MOS的结构。1976年M.J.Declerq和J.D.Plummer采用这种方案，做出了第一个LDMOS。; LDMOS器件结构如图1所示，LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。这项技术是在相同的源/漏区域相继两次进行硼磷扩散，一次注入浓度较大（典型注入剂量 1015cm-2）的砷（As），另一次注入浓度较小（典型剂量1013cm-2）的硼（B）。注入之后再进行一个高温推进过程，由于硼扩散比砷快，所以在栅极边界下会沿着横向扩散更远（图中P阱），形成一个有浓度梯度的沟道，它的沟道长度由这两次横向扩散的距离之差决定。在有源区和漏区之间有一个高阻层，称为漂移区。高阻漂移区的存在提高了击穿电压，并减小了漏、源两极之间的寄生电容，有利于提高频率特性。同时，漂移区在沟道和漏之间起缓冲作用，削弱了LDMOS的短沟道效应。由于VDS的绝大部分降落在漂移区上，因此在沟道夹断后，基本上没有沟道的长度调制效应。当VDS增大的时候，输出电阻不会降低，沟道区也不易穿通，从而LDMOS的击穿电压不受沟道长度和掺杂水平的限制，可以进行独立的设计。 LDMOS中的漂移区是该类器件设计的关键，漂移区的杂质浓度比较低，因此，当LDMOS 接高压时，漂移区由于是高阻，能够承受更高的电压。图1所示LDMOS的多晶扩展到漂移区的场氧上面，充当场极板，会弱化漂移区的表面电场，有利于提高击穿电压。场极板的作用大小与场极板的长度密切相关。要使场极板能充分发挥作用，一要设计好SiO2层的厚度，二要设计好场极板的长度。 LDMOS在工艺上很容易实现0.4一2μm的沟道长度，故跨导gm、漏极电流IDS、最高工作频率ft和速度都比一般的MOS有较大幅度的提高。 ; 80代初研制出了150MHz输出17W、增益12.3dB和450MHz输出11w、增益7.4dB的LDMOS及沟道长度2μm在 1.IGHz下连续波输出22w、增益8.5dB、漏极效率达51%的LDMOS。80年代末，研究者们利用RESURF原理，对LDMOS进行优化设计，出现了LDMOS的不同结构。其努力的方向是降低Ron及CGs，CGD，CDs，提高击穿电压BVDSS，并分析研究了栅电阻对器件微波性能的影响。在LDMOS的研究过程中，研究者们发现，限制器件增益和效率的主要因素是沟道长度、源极接地电感和栅电阻。 到了90年代，由于器件结构和工艺技术的改进，使得LDMOS性能有了飞跃性的发展，实现了L波段大功率输出，并在P波段、L波段形成了规模化、系列化产品，广泛用于军事装备、通信及民用领域。从90年代初开始，微波LDMOS向着自对准亚微米沟道发展，同时采用难熔金属栅或硅化物栅减小栅RC时间常数，并采用p+衬底代替原来的p-衬底。1992年研制出了高效率的靠电池供电移动通信用的低压MO栅LDMOS，其沟道长度为0.8μm，在6v工作时 1.5GHz下输出2w，增益5dB，漏极效率达65%，功率附加效率为55%。1994年又研制出了在1.SGHz下连续波输出35W，增益13dB，漏极效率5