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电路与电子技术试题 一、单项选择题（本大题共15小题，每小题2分，共30分） 在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。错选、多选或未选均无分。 1．在杂质半导体中，多数载流子的浓度取决于（　　　） A．本征半导体 B．温度 C．杂质浓度 D．掺杂工艺 2．理想二极管构成的电路如题2图所示，则（　　　） A．V截止U0＝－10V B．V截止U0＝－3V C．V导通U0＝－10V D．V导通U0＝－6V 3．某电路中晶体三极管的符号如题3图，测得各管脚电位标在图上，则该管处在（　　　） A．放大状态 B．饱和状态 C．截止状态 D．状态不能确定 4．下列各组态放大电路中，若要求既有电压放大作用，又有电流放大作用，应选（　　　） A．共射组态 B．共基组态 C．共集组态 D．共漏组态 5．在单相桥式整流电路中，变压器次级电压为10V（有效值），则每只整流二极管承受的最大反向电压为（　　　） A．10V B．V C．V D．20V 6．下列数中，最大的数是（　　　） A．（3D）16 B．（57）10 C．（65）8 D．（111010）2 7．逻辑函数F＝的反函数为（　　　） A． B． C． D． 8．逻辑函数F（A、B、C）＝m1+m3+m6+m7，其最简与或表达式为（　　　） A．F＝AB＋ B．F＝A＋C C．F＝B＋C D．F＝AB＋BC 9．逻辑函数F＝A＋AB＋C＋ACDEF的最简与或式为（　　　） A．F＝A＋C B．F＝A＋C C．F＝A D．F＝AB 10.图示电路中，电感为理想元件，相关参数见图，则A点电位VA为( ) A.6V B.-3V C.+3V D.-6V 11.图示电路中，元件A的功率为( ) A.15W B.-15W C.13W D.-13W 12.图示电路中，I2为( ) A. I B.- I C. I D.- I 13.图示电路中，A、B两点间的电位为( ) A.VAVB B.VA=VB C.VAVB D.VA=2VB 14.用节点电压法求图示电路Ua的方程式正确的是( ) A. B. C. D. 15.几个正弦量画在同一相量图上时，它们必须是( ) A.初相位相同 B.大小相等 C.频率相同 D.相位差相同 二、填空题（本大题共5小题，每空2分，共10分） 请在每小题的空格中填上正确答案。错填、不填均无分。 16．PN结正向偏置时，应该是P区的电位比N区的电位________________。 17．PN结加正偏导通，加反偏截止，称为PN结的________________性能。 18．某放大状态的晶体管，知β＝50，测得其IE＝2.04mA，忽略穿透电流，则其IB为________________mA。 19．在放大电路中，若负载电阻RL越大，则其电压放大倍数________________。 20．单相桥式整流电路中，流过每只整流二极管的平均电流是负载平均电流的___________。 三、分析计算题（本大题共3小题，每小题10分，共30分） 21．放大电路如题27图所示，已知Ucc＝15V，＝40kΩ，＝10 kΩ，RC＝RL＝60kΩ， RE＝2 kΩ，UBEQ＝0.7V，β＝60。试： （1）计算IEQ，UCEQ； （2）画出微变等效电路； （3）计算电压放大倍数Au。 22．理想运放构成的电路如图所示 　（1）指出集成运放构成何种运算电路； 　（2）写出与和的关系式； 　（3）若R1＝30 kΩ，Rf＝60 kΩ，R2＝R3＝40 kΩ，＝－1.5V，＝2V，求U0； 　（4）指出u－＝？。 　　　　　　　　 23．逻辑电路图如题图所示，写出电路输出端函数F的最简与或表达式，并列出真值表。 四、设计画波形题（本大题共3小题，每小题10分，共30分） 24．由理想运放构成的电路如题图所示 　（1）写出U0与和的关系式； 　（2）已知和4的波形如题33（b）图所示，试对应画出U0波形（标明幅值）。 25.图示R-L-C串联电路中，已知i=10sin314tA, R=100 0°V。若电源电压u在相位上超前电流45°，求电压U0及总电压的大小。 26.图示电路中，E1=50V，E2=10V，R1=20Ω，R2=35Ω，R3= R4= R5=50Ω，R6=30Ω，R7=70Ω，试计算I1及I3。 5