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光子学基础 上海大学通信与信息工程学院 2013年10月 第六章 光的调制 提要 内调制技术 电光效应 电光调制 磁光效应 3 4 光的调制  光的内调制技术： 电信号直接调制到半导体发光管(LED)或半导体激光二极管(LD)的注入电流上  光的外调制技术： 主要介绍利用晶体线性电光(Pockels)效应制成光的外调制技术 5 光的内调制技术 输 入 输 出 光发射机 光 纤 光接收机 信号处理 光通信系统主要由光发射机、传输介质---光纤和光 接收机。其原理图如下所示： 发射机输入的电压波形是 。通过输入—输出特性，我们就可以开始研究发射机子系统的设计。 6 光的内调制技术 光内调制系统图 LD 激光器LD 直流电源 偏置 T电路 驱动电路 电信号 光输出 RF DC LD L C R 7 光的内调制技术 （4）表示由于脉冲上升时间和下降时间过长而引起的码间干扰的波形。 （5）表示输出脉冲的过冲和振荡的波形。 (6) 表示不适当的消光比的波形。（7）表示脉冲上有噪声。 调制信号图 (1)二进制时钟输入波形。 (2)理想输出波形。 及在各种恶化情况下的若干“实际”输出波形： (3)表示的脉冲图形中，它的幅度和宽度有所改变的波形。 8 早期光发射机的技术指标： 在温度从-200C到+600C的范围内，所有技术指标（除寿命外）都符合规定。 发射机子系统用+5V和-5.2V的外加电压工作。最大消耗电流为250mA。信号输入接口用平衡的ECL（发射极耦合逻辑电路）。 发射机包括半导体发光二极管(LED)或激光器(LD)。如果使用发光二极管，要求发射中心波长为830±10nm，在200C下, 光谱线宽度（FWHM）小于50nm。如果使用激光器中心波长为830±10nm，谱线宽度小于1nm。 光的内调制技术 9 传输介质用渐变折射率多模光纤传输。多模光纤数值孔径（NA)为0.2±0.02，纤芯直径为50±3μm，包层直径为125±3μm，纤芯与包层同心，轴向偏移不大于3μm。 发射机的光功率 若使用LED光源，则在它的寿命开始时，发送机输出将在-18dBm到-15dBm之间，而当输出低于-21dBm时，则可认为LED光源的寿命终了。对于激光器光源，在它的寿命开始时，发送机输出将从-1.5dBm到+1.5dBm。若发射子系统耗用的电流增加到超过上述第2项中的极限状态（对于反馈控制器件），或在发射机的输出功率降低到-6.0dBm以下，无论那种情况首先发生，都认为是激光器的寿命终了。 光的内调制技术 10 光的内调制技术 波形要求 在不同时钟速率下，用非归零的伪随机(NRZ)脉冲序列发生器的输出来激励发射机，并测试输出脉冲波形的相关效应。脉冲幅度随波形的变化不大于±5％；上升和下降时间(10％-90％）的变化小于5 %；脉冲宽度随波形的变化不大于±5％（在半最大值的全宽）、脉冲的过冲量小于10％；不产生寄生振荡；消光比超过10:1。 寿命 在200C环境温度时，光源的平均寿命应超过10万小时；在600C环境温度时，平均寿命应超过1000小时。 11 当前常用的LED也已有重大的提高工作电流一般在几十到一百多毫安。另外，也出现超辐射SLD和边辐射FLED的发光二极管，注入单模光纤的光功率百微瓦。 当前半导体激光源多用分布反馈的(DFB) ，阈值电流可低至10mA左右，输出功率可达100mW， 激光器的寿命可达100万小时。 光的内调制技术 12 光谱的考虑 在许多应用中，可将发送机光源的总输出功率作为单一参量考虑，但有时必须考虑光源的光谱成分。 设发送机发射的光具有如下的高斯形光谱： 0--光谱的中心波长； Δλ--光谱宽度的有效值 13 光谱的考虑 若光源用高斯形脉冲的输入电流调制,则产生高斯形的输出光功率脉冲，作为光纤输入光脉冲的功率： 1--光源输出脉冲宽度的有效值； p(t)--总的光源输出功率，它是时间的函数并对所有发射波长积分。 14 光谱的考虑 设光信号功率通过光纤传播, 其时延为t (λ)。将输出作为波长函数来积分，可得光纤的输出脉冲为（忽略衰减）： 如果与波长相关的时延近似为波长的线性函数，则： 式中D′=D·L 代入前式就得到光纤输出脉冲为： 式中 15 光谱的考虑 上式成为估计光脉冲展宽的近似计算公式 若输入的光脉冲为高斯形，脉冲宽度为1 。 光纤的色散为D，长度为L，由光纤引入的时延为 DL, 其中  为光源谱线的宽度。 16