2003_Radiation Effects on Photonic Imagers—A Historical Perspective.docx

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2003_Radiation Effects on Photonic Imagers—A Historical Perspective

光子成像仪辐射效应研究的回顾介绍可见/近红外技术:charge coupled devices(CCD), charge injection device(CID), active pixel sensor(APS)红外探测器:infrared detectors(IR)紫外成像仪:UV imagers: 还没有很多关于紫外成像仪的辐射效应研究红外探测器技术红外探测很大的优点就是可以探测目标自身的热辐射而不是去探测目标的反射光。HgCdTe是目前红外探测器最广泛使用的材料,它的截止波长可以从1.5um-20um调节(红外:0.76um-1000um;可见光:0.4um-0.7um;紫外光:0.1um-0.4um)。光电器件:零偏或反偏的二极管,当他们受到光照时,电流会增加。永久损伤:早期:单元件探测器和位移损伤导致的永久退化在70年代有大量关于HgCdTe材料位移损伤的研究,位移损伤在中波没有详细的研究,但有研究表明中波材料损伤要比长波材料损伤快0-1.5倍。基本的HgCdTe位移损伤效应是引进了施主,可能是Hg空位。这些辐射产生的施主也是间接复合(SRH)的中心,会减少载流子寿命。对于一个n型光电探测器,光响应(g是光子产生率,是多子寿命,V是偏置,n是多姿浓度)。对位移损伤最敏感的参数是n位移损伤产生的施主会增加电子浓度,因此会减少光响应。光电探测器是二极管而且是多子器件。用于光电探测器的最佳性能度量是电阻在零偏压的探测器面积的乘积其中k是玻尔兹曼常熟,T是温度,p是空穴载流子浓度,是少子寿命,是本征载流子浓度,t是探测器厚度。因为空穴浓度在p侧相对较高,位移损伤较难影响,因此位移损伤主要影响少子寿命,引入的SRH中心会减少少子寿命。另一个可能影响的损伤机制是在n侧的寿命减少,在n型HgCdTe最大的少数载流子寿命由少数载流子(空穴)的Auger(俄歇)复合寿命决定,它与电子载流子寿命的平方成反比。在参杂硅探测器中,光响应与多子(电子)寿命成比例,与复合中心浓度成反比。为了得到较高性能的探测器,要尽可能的降低补偿受主的浓度,而辐射会引入额外的补偿受主,因此光响应降低。中期:多元件阵列的应用和总剂量效应导致永久退化的重要性在80年代前中期,开发转向多单元探测器阵列,这就要求在单个的单侧器之间添加表面钝化层。在HgCdTe阵列,最通常的结构是使用ZnS沉积n-on-p光电探测器的钝化层。由于ZnS容易产生陷阱电荷,因此总剂量效应导致的退化问题要远远大于位移损伤。中波和长波表现出相似的行为。如上图所示,在零偏时,净陷阱电荷可能正也可能负,这决定于HgCdTe的表面处理和一些其它原因(例如杂散磁场)。因此,在ZnS中由辐射产生的陷阱电荷既可能在二极管之间的HgCdTe表面出现多子积累也可能产生耗尽(甚至出现反型,使得在两个探测单元之间出现导电沟道致使串扰增加)。无论哪种情况出现,都将导致表面电流的增加和器件性能的下降。通常情况下,具有更高初始质量的探测器(例如更高的)更不易受到总剂量效应的影响,然而这些高质量的探测器没有很高的生产重复性,因此不能产生均匀的阵列。很明显的是在HgCdTe和钝化层之间的表面态对于器件性能和加固起到关键的作用,并且研究一个高质量的界面是器件生产制造最重要的事。近些年:CdTe钝化层的使用和开发M rad加固阵列CdTe比以往使用的任何钝化层都更加兼容HgCdTe,CdTe提升了探测器和阵列的性能尤其是长波红外器件。CdTe的方法是非常有效的,它有着高性能和高的阵列一致性(更少的坏单元)。并且伴随着CdTe的出现,大部分厂商都从n-on-p结构转向p-on-n结构。p-on-n结构不仅有着杰出的性能更对总剂量加固有着深远的影响。CdTe钝化层也是的阵列更加抗总剂量效应,研究表明CdTe钝化层的HgCdTe探测器可以抗大于1Mrad(HgCdTe)剂量,这意味着混合阵列的总剂量加固不再由探测器阵列响应决定而是由MOS读出电路加固决定。由于探测器阵列要和读出电路集成在一起,因此读出电路也要工作在低温环境下,而增强氧化物陷阱电荷(enhanced charge trapping the oxides)导致低温CMOS的总剂量效应要比室温条件下更严峻。幸运的是先进CMOS工艺减少了氧化层厚度并且缩放工艺提高了反型阈值有利于减小总剂量效应,因此通过加固设计和采用亚微米工艺就可以使得商用代工厂生产出可用于空间应用的抗辐射加固读出电路。电离导致的暂态响应单粒子脉冲和噪声为了探测光学光子,红外探测器一定对电离探测很敏感,它要能够探测低能量的红外光子并且要求低本底噪声。因此,红外探测器也是十分有效的电离探测器,经常能够探测单个粒子,这类似于标准集成电路中由重离子引起的单粒子效应。事实上,红外探测器的设计原理通常与核子探测器

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