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第1-2章复习题 1. 何谓导带、价带、禁带和有效质量？用能带理论解释金属、半导体和绝缘体的区别。 答：价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带 (valence band) 导带：0K条件下未被电子填充的能量最低的能带 (conductance band) 禁带：导带底与价带顶之间能带 (forbidden band) 带隙：导带底与价带顶之间的能量差 (band gap) 禁带宽度 有效质量是将晶体中电子的加速度与外加的作用力联系起来，并且包含了晶体中的内力作用效果，有效质量并不代表真正的质量，而是代表能带中电子受外力时，外力与加速度的一个比例系数。 在金属中，被电子填充的最高能带是不满的，而且能带中电子密度很高，和原子密度具有相同的数量级，所以金属有良好的导电性。对于绝缘体和半导体在绝对零度下，被电子占据的最高能带是满的，成为满带，满带上邻近能带则是空的，成为空带，满带和空带之间被禁带分开，由于没有不满的能带存在，所以他们不能导电。二则的区别仅在与半导体的禁带宽度比较窄，在一定温度下，电子容易以热激发的形式从满带激发到空带中，所以空带变成了不满带，可以导电。 绝缘体的禁带宽度： 6ev，半导体的禁带宽度：~1ev 2. 何谓施主(受主)杂质及其能级，深(浅)能级、杂质电离？并画图表征上述能级图。 答：半导体中掺入施主杂质后，施主电离后将成为带正电离子，并同时向导带提供电子，这种杂质就叫施主。施主电离成为带正电离子（中心）的过程就叫施主电离。例如，在Si中掺P，P为Ⅴ族元素， 半导体中掺入受主杂质后，受主电离后将成为带负电的离子，并同时向价带提供空穴，这种杂质就叫受主。受主电离成为带负电的离子（中心）的过程就叫受主电离。受主电离前带不带电，电离后带负电。例如，在Si中掺B。 杂质向导带和价带提供电子和空穴的过程（电子从施主能级向导带的跃迁或空穴从受主能级向价带的跃迁）称为杂质电离或杂质激发。具有杂质激发的半导体称为杂质半导体 根据杂质能级在禁带中的位置，杂质分为：浅能级和深能级杂质 浅能级杂质→能级接近导带底Ec或价带顶Ev，电离能很小。 深能级杂质→能级远离导带底Ec或价带顶Ev，电离能较大 3. 何谓费米能级和费米分布？电中性条件？质量作用定律？何谓简并半导体？杂质浓度、温度与上述之间的关系？ 答：根据量子力学，电子为费米子，服从费米分布 EF表示平衡状态的参数--费米能级，它标志在T=0K时电子占据和未占据的状态的分界线。即比费米能级高的量子态，都没有被电子占据，比费米能级低的量子态都被电子完全占据。 本征半导体的电中性条件：在热平衡情况下，n=p 化学反应速率与反应物的有效质量成正比，这就是质量作用定律。 对于n型半导体，EF接近导带或进入导带中；对于 p型半导体，其EF接近价带或进入价带中的半导体为简并半导体。 EF在禁带中的半导体称为非简并半导体。 非简并半导体：掺杂浓度较低 简并半导体：掺杂浓度高 4. 何谓迁移率、电导率、扩散电流、漂移电流？各自表达式？ 答：迁移率：电子和空穴的迁移率分别为： 物理意义：单位电场强度下，载流子所获得漂移速度的绝对值。 电导率：电子和空穴的电导率分别为： 扩散电流：由于存在载流子浓度梯度，载流子将有浓度高的区域向浓度低的区域运动，形成扩散电流。Ｄ为扩散系数 漂移电流：在外电场的作用下，载流子的定向移动形成的电流。 5、 何谓非平衡载流子？寿命？何谓准费米能级？ 答：对半导体施加外界作用(光、电等)，迫使它处于与热平衡状态相偏离的状态，称为非平衡状态。其中非平衡少子为非平衡载流子。非平衡载流子寿命(τ)又称少子寿命，是非平衡少子在复合前的平均存在时间； 半导体中的电子系统处于热平衡状态，半导体中有统一的费米能级，当外界的影响破坏了热平衡，使半导体处于非平衡状态时，就不再存在统一的费米能级。引入导带费米能级作为电子准费米能级(EFn)；价带费米能级作为空穴准费米能级(EFp) 其中EFn、EFp分别为电子和空穴的准费米能级 6、何谓直接（间接）复合？（非）辐射复合？表面复合？ 答：①直接复合——电子由导带直接跃迁到价带的空状态，使电子和空穴成对消失； ②间接复合——指主要通过复合中心的复合，在间接复合中，电子跃迁到复合中心的能级，然后在跃迁到价带的空状态使电子和空穴成对消失。复合中心是指晶体中的一些杂质和缺陷。 载流子复合时，要释放出多余的能量。以发出光子的形式放出能量为辐射复合，将能量给予其他载流子为俄歇（Auger）复合，又叫非辐射复合。 表面复合---半导体表面发生的复合过程，表面处杂质、缺陷在禁带形成复合中心能级，半导体表面具有很强的复合少数载流子的作用。 7. 画出热平衡PN结的能带图，并能用费米能级或载流子漂移和扩散的理论解释PN结空间电荷区的形成？ 答：（