第07节 常规梯度回波序列与扰相梯度.docVIP

第七节 常规梯度回波序列和扰相梯度回波序列 常规 GRE序列和扰相GRE序列是临床上最常用的GRE序列，也是最简单的梯度回波序列，本节我们将重点介绍其序列结构和应用。 一、常规GRE序列的结构 图42所示为常规GRE序列的结构示意图。实际上常规GRE序列的结构和其他所有序列一样均有五个部分构成，即射频脉冲、层面选择梯度场、相位编码梯度、频率编码和MR信号。与SE序列相比，常规GRE序列有两个特点：（1）射频脉冲激发角度小于90°；（2）回波的产生依靠读出梯度场（即频率编码梯度场）切换。常规GRE序列可以说是最简单的GRE序列，具有前一节所介绍GRE序列的所有特性。 离相位梯度聚相位梯度 离相位梯度 聚相位梯度 ? ? TE TR 射频脉冲 层面选择梯度 相位编码梯度 频率编码梯度 /读出梯度 MR信号 图42 常规GRE序列结构图 和其他所有序列一样，常规GRE序列也由射频脉冲、层面选择梯度、相位编码梯度、层面选择梯度（或称读出梯度）及MR信号等五部分构成。与SE序列相比，常规GRE序列有两个特点：（1）射频脉冲激发角度小于90°；（2）回波的产生依靠读出梯度场（即频率编码梯度场）切换。把小角度脉冲中点与回波中点的时间间隔定义为TE；把两次相邻的小角度脉冲中点的时间间隔定义为TR。 二、扰相GRE序列 当GRE序列的TR明显大于组织的T2值时，下一次?脉冲激发前，组织的横向弛豫已经完成，即横向磁化矢量几乎衰减到零，这样前一次?脉冲激发产生的横向磁化矢量将不会影响后一次?脉冲激发所产生的信号。但当TR小于组织的T2值时，下一次?脉冲激发前，前一次?脉冲激发产生的横向磁化矢量尚未完全衰减，这种残留的横向磁化矢量将对下一次?脉冲产生的横向磁化矢量产生影响，这种影响主要以带状伪影的方式出现，且组织的T2值越大、TR越短、激发角度越大，带状伪影越明显。 为了消除这种伪影我们必需在下一次?脉冲施加前去除这种残留的横向磁化矢量，采用的方向就是在前一次?脉冲的MR信号采集后，下一次?脉冲来临前对质子的相位进行干扰，使其失相位加快，从而消除这种残留的横向磁化矢量。干扰的方法有两种：（1）施加扰相位梯度场，可只施加于层面选择方向或三个方向都施加；（2）施加扰相位射频脉冲。以施加扰相位梯度场应用较多，施加了扰相位梯度场后，将造成人为的磁场不均匀，加快了质子失相位，从而消除这种残留的横向磁化矢量（图43）。 我们把施加了扰相位梯度场或扰相位射频脉冲的梯度回波序列称为扰相GRE序列。这个序列在不同的公司有着不同的名称，如GE公司称之为SPGR（spoiled gradient recalled echo），西门子公司称之为FLASH（fast low angle shot），飞利浦公司称之为FFE（fast field echo）。 离相位梯度聚相位梯度 离相位梯度 聚相位梯度 ? ? TE TR 射频脉冲 层面选择梯度 相位编码梯度 频率编码梯度 /读出梯度 MR信号 扰相 扰相 扰相 图43 扰相GRE序列结构示意图 与常规GRE序列（图42）相比，扰相GRE序列唯一的不同就是在前一次?脉冲的回波采集后，下一次?脉冲来临前，在层面选择方向、相位编码方向及频率编码方向都施加了一个很强的梯度场，人为造成磁场不均匀，加快了质子失相位，以彻底消除前一次?脉冲的回波采集后残留的横向磁化矢量。 三、常规GRE序列和扰相GRE序列的加权成像 与自旋回波类序列一样，利用常规GRE或扰相GRE序列可以进行加权成像，但由于施加的射频脉冲以及产生回波的方式不同，GRE序列与自旋回波类序列也存在一些差别：（1）一般自旋回波类序列均采用90°脉冲激发，因此图像的纵向弛豫成分（即T1成分）由TR决定。而在GRE序列，激发角度小于90°，且激发角度可随时调整，因此GRE序列图像的T1成分受TR和激发角度双重调节。（2）由于采用小角度激发，组织纵向弛豫所需的时间缩短，因此相对SE类序列来说，GRE序列可选用较短的TR。（3）GRE序列图像的横向弛豫成分（即T2成分）也由TE来决定，但由于GRE序列采集的回波未剔除主磁场不均匀造成的质子失相位，仅能反映组织T2*弛豫信息，因此利用GRE序列仅能进行T2*WI，而得不到T2WI。 （一）T1WI 与SE序列一样，利用GRE序列进行T1WI也需要选择短的TE以尽量剔除T2*弛豫对图像对比的污染，而且因为读出梯度场切换所需的时间明显短于180°脉冲所需的时间，因此GRE序列的最短TE明显短于SE序列。T1WI权重则取决于TR和激发角度，保持TR不变，激发角度越大，图像的T1权重越重；保持激发角度不变，TR越短，图像的T1权重越重。GRE序列一般选用较大的激发角度，如50°到80°，这时常需要采用相对较长的TR（如TR = 10