GaN组合开关电路及其驱动技术研究-西安科技大学学报.PDF

第３６卷　第６期 西 安 科 技 大 学 学 报 Ｖｏｌ．３６　Ｎｏ６ ２０１６年１１月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＸＩ’ＡＮＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹＯＦＳＣＩＥＮＣＥＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ Ｎｏｖ２０１６ 　　　　ＤＯＩ：１０．１３８００／ｊ．ｃｎｋｉ．ｘａｋｊｄｘｘｂ．２０１６．０６２０文章编号：１６７２－９３１５（２０１６）０６－０８８２－０６ 　ＧａＮ组合开关电路及其驱动技术研究 １ ２ ３ 王树奇 ，吉　才 ，刘树林 （１．西安科技大学 通信与信息工程学院，陕西 西安７１００５４；２．中国移动通信集团山西有限公司，山西 吕梁０３３０００； ３．西安科技大学 电气与控制工程学院，陕西 西安７１００５４） 摘　要：基于氮化镓的高电子迁移率场效应晶体管（ＧａＮＨＥＭＴ）具有电子迁移率高、耐高温和极 低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。限于目前的制造工艺，基于氮化 镓材料的ＭＯＳ开关器件更容易做成耗尽型，针对耗尽型ＧａＮＨＥＭＴ器件的负电压关断特性，结 合其应用于开关变换器的上电短路问题，提出一种 ＧａＮＨＥＭＴ器件与增强型ＭＯＳＦＥＴ的组合开 关电路，可实现对耗尽型ＧａＮＨＥＭＴ器件的开、关控制及可靠关断，但其关断速度不够快。为此， 提出一种快速关断ＧａＮＨＥＭＴ器件的驱动电路，并得到了进一步提高ＧａＮＨＥＭＴ器件开关速度 的改进电路，可实现对耗尽型ＧａＮＨＥＭＴ器件快速可靠关断。实例及实验结果验证了所提出电 路的可行性。 关键词：氮化镓；高电子迁移率场效应晶体管；耗尽型；驱动电路；开关变换器 中图分类号：ＴＭ４６　　　文献标志码：Ａ ＤｒｉｖｉｎｇｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙｏｆＧａＮＨＥＭＴａｎｄｉｔｓａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ １ ２ ３ ＷＡＮＧＳｈｕｑｉ，ＪＩＣａｉ，ＬＩＵＳｈｕｌｉｎ （１．ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎａｎｄＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｘｉ’ａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｘｉ’ａｎ７１００５４，Ｃｈｉｎａ； ２．ＣｈｉｎａＭｏｂｉｌｅＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓＧｒｏｕｐＳｈａｎｘｉＬｔｄ．，Ｌｖｌｉａｎｇ，０３３０００，Ｃｈｉｎａ； ３．ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃａｌａｎｄＣｏｎｔｒｏｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｘｉ’ａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｘｉ’ａｎ７１００５４，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＧａＮＨＥＭＴｉｓｔｈｅｆｏｃｕｓｏｆｔｈｅｓｗｉｔｃｈｉｎｇｐｏｗｅｒｓｕｐｐｌｙｄｕｅｔｏｉｔｓｈｉｇｈｍｏｂｉｌｉｔｙ，ｈｉｇｈｔｅｍｐｅｒａ ｔｕｒｅａｎｄｌｏｗｐａｒａｓｉｔｉｃｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ．Ｌｉｍｉｔｅｄｔｏｔｈｅｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｐｒｏｃｅｓｓ，ｔｈｅＧａＮｓｗｉｔｃｈｉｎｇｄｅｖｉｃｅｏｎｌｙｃａｎ ｂｅｍａｄｅｔｏｄｅｐｌｅｔｉｏｎｍｏｄｅｓｗｉｔｃｈｉｎｇｄｅｖｉｃｅ．Ａｉｍｅｄａｔｔｈｅｎｅｇａｔｉｖｅｖｏｌｔａｇｅｔｕｒｎｏｆｆｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃａｎｄｔｈｅ ｓｈｏｒｔｃｉｒｃｕｉｔｐｒｏｂｌｅｍｏｆｔｈｅｄｅｐｌｅｔｉｏｎｍｏｄｅＧａＮＨＥＭＴｄｅｖｉｃｅ，ａｃｏｍｂｉｎａｔｉｏｎｓｗｉｔｃｈｗｉｔｈＧａＮＨＥＭＴ ａｎｄｅｎｈａｎｃｅｄＭＯＳＦＥＴｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄ，ｔｈｅｔｕｒｎｏｎａｎｄｔｕｒｎｏｆｆｃｏｎｔｒｏｌｆｏｒｔｈｅｄｅｐｌｅｔｉｏｎｍｏｄｅＧａＮＨＥＭＴ ｄｅｖｉｃｅｃａｎｂｅｒｅａｌｉｚｅｄ，ｔｈｅＧａＮＨＥＭＴｄｅｖｉｃｅｃａｎｂｅｔｕｒｎｅｄｏｆｆｒｅｌｉａｂｌｙ，ｂｕｔｔｈｅｔｕｔｎｏｆｆｓｐｅｅｄｉｓｎｏｔ ｆａｓｔ．Ｔｈｕｓ，ｔｈｅｄｒｉｖｅｃｉｒｃｕｉｔｏｆｔｈｅＧａＮＨＥＭＴｄｅｖｉｃｅｉｓｐｒｏｐｏｓｅｄ，ａｎ