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双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的高温辐照-强激光与粒子束
第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 ,
26 3 Vol.26 No.3
年 月 ,
2014 3 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Mar. 2014
双极集成电路低剂量率辐射损伤增强效应的
高温辐照加速实验*
, , , , , , ,
刘敏波 陈 伟 姚志斌 黄绍艳 何宝平 盛江坤 肖志刚 王祖军
( , )
西北核技术研究所 强脉冲辐射环境模拟与效应国家重点实验室 西安 710024
: , , ,
摘 要 选择了四种典型双极集成电路 在两种不同剂量率下 开展了不同温度的高温辐照加速实验 测
。 :
量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律 实验结果表明 高温辐照能够给出空
, ,
间低剂量率辐射损伤增强效应的保守估计 且存在最佳辐照温度 最佳辐照温度随总剂量的增加向低温区漂
, , ,
移 随剂量率的增大向高温区漂移 在相同剂量率和总剂量下 输入级为 NPN晶体管的双极集成电路比输入
级为 PNP晶体管的最佳辐照温度低。
: ; ; ;
关键词 双极集成电路 低剂量率 高温辐照 界面态
中图分类号: ; 文献标志码: : /
TN432 TN722 A doi10.3788HPLPB201426.034003
,
双极器件及双极集成电路在受到低剂量率辐照时的损伤大于高剂量率辐照后的损伤 这就是所谓的低剂
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量率辐射损伤增强效应( ) 。目前对星用器件空间总剂量效应考核广泛采用的是 ( )/
ELDRS 50~300radSi s
, -4 -2 ( )/,
剂量率 而实际的空间典型剂量率范围为 1×10 ~1×10 radSi s对于具有低剂量率辐射损伤增强效应
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