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扼流圈用新型纳米磁性材料 2001年第3期上海钢研 扼流圈用新型纳米磁性材料 F.Fkunaga,Y.Ichiki,H.Ikezoe,M.Nakano 日本Nagasaki大学工程学院电气和电if-:r_ffR系 摘要用于无间隙扼流圈的纳米结构材料通过Fe—Nb—cu—Si—b非晶带的晶化处 理研制而成.该新开发的合金在对称励磁条件下磁导率可调,磁损相当于co基非晶冲片 铁芯以及直流偏压场磁导率特性优于含有气隙的Mn—Zn铁氧体材料. 关键词:扼流圈磁导率磁损直流偏压场纳米结构 电子设备小型化要求提高扼流圈用磁 铁芯的性能.例如,该用途的磁性材料必须 具有与无励磁磁通密度和直流磁场无关的 几百数量级的交流磁导率,而且磁损要低. 虽然含有气隙的低磁导率铁氧体铁芯已广 泛地应用于此种用途,但是铁氧体的磁化饱 和度小以及气隙漏磁妨碍了电子设备结构 的小型化.因此,我们开发出了一种具有高 磁化饱和度(1.35T)和小于500的可调低 磁导率的新型纳米结构磁性合金材料. 由Fe—Nb—Cu—Si—b非晶带制成的 外径为2.5cm,高度为1.5cm的缠绕铁芯在 625'E的氮气气氛中退火.短时间的退火使 非晶相结晶成晶粒直径约为20纳米的纳米 结构BCC相,而进一步的退火在基体相中 沉淀析出物起着扎钉的作用而将铁芯的磁 导率降至无气隙状况的几百数量级.因为 结晶使铁芯变脆,所以要将结晶铁芯绕在绕 线管上,然后在其频率范围内的10k一 400kHz之间不同的直流偏压磁场中测量其 交流磁导率的铁芯损耗. 铸态铁芯的交流磁导率在对称励磁 的条件下在使用前通过将铁芯置于高密度 交流磁通中进行稳定化处理.在稳定化处 理之后,如果交流励磁磁通密度B不超过 稳定化处理期间所施加的磁通密度B在 无B的情况下近似为常数.当B.p变动 时,"也如图1中所示的那样变化.因为在 B=0.1所测得的随B的增大而增大, 所以我们可以通过控制B将调至所要 求的值"经调整后,还有可能通过施加一 个垂直于圆周方向的直流磁场使返回至 状态下所具有的值,因此我们可以反复调节 .虽然含有气隙的铁氧体铁芯的优点之 一 是该种铁芯的可调至所需之值,我们 研制的缠绕铁芯可望具有类似的优点而无 气隙.其磁损可以与有气隙的co基非晶 冲片铁芯相提并论. 褂 曲 趱 盆 0 施加的最大磁通密度[T】 图1在0.1T磁通密度下测得的磁导率与铁甚先 前所暴露于其中的最大磁通密度B～之间的 函数关系 在直流偏压磁场下的交流磁导率会受 到原先施加过的直流磁场的影响.如图2 所示,相对于直流偏压磁场H.的特性曲 线显示出明显的滞后.这一结果表明,由于 50?上海钢研2001年第3期 施加HDc而造成的的下降可以在施加 HDC前通过施加一个反向的直流磁场加以 遏制.从而,我们通过施加反向直流磁场提 高了所制备的铁芯的直流偏压性能. S00 700 赫600 督500 400 300 ).1T )kH . 50o0500 M( 图2直流偏压磁场对交流磁导率的影响 1?2 1.0 o-e .i0.6 0.4 020D400600 直流偏磁场( 图3磁导率与直流偏压磁场HDC的关系曲 线.在施加HDC之前.该铁芯在lkA/m的 反向直流磁场H册的作用下以密度为0.1T 的直流磁通B进行预先磁化,然后就如插 图中所示的那样通过变动HⅨ来测出的 值.该磁导率以HDc=0的值进行了标准 化. 图3显示随HDc的变化而变化.在 施加HDc之前,该铁芯在1kA/m的反向直 流磁场H的作用下以密度为O.1T的直流 磁通B进行预先磁化,然后就如插图中所 示的那样通过变动HDc来测出的值.当 HDc为最大值时,H很小,随HDc的加大 而增大,而由于施加了HDc所造成的的缩 减受到明显的遏制.然而,这一效应却随着 H的增大而减小.在HDc=0,值变为 1/2的情况下,HDc的值不仅取决于H值, 而且还取决于B.值,并且如图4中所显示 的那样H.c随这后两个量值的加大而增大 c(1iNfl~) .S03S20 -lm) 圈4直流偏压磁场磁导率H(在该磁场下磁导 率为无直流偏压磁场的1/2)与先前施加的 反向直流磁场H强度以及在H.之下预磁 化交流磁通密度B.之间的关系曲线 '?. i 豳 H-一5IOVm H竹-3,.,~kA/m 含有气隙的--rzn 铁蕾体饿芯 O'tO2030t0 xu .. [1UVmJ 图5直流偏压磁场Ht:,c对磁导率的影响以及 为古有气隙的Mn一铁氧体所做的同样结 果(TDKHs一l80,Bs0.481").该磁导率 经H=0而标准化,并表达为HDc? = 0的函数. 当铁芯感应值给定时在圈中直流电流 可能的最大值是与√和旅与铁芯的最大直 流偏压磁场强度的乘积的值成比例.这样, 我们通过绘制标准化