第3章 电子电力器件的驱动和保护.pptVIP

电力电子学 3.1 晶闸管的驱动和保护 3.3功率晶体管驱动电路和缓冲电路 驱动电路性能不好，轻则使BJT不能正常工作，重则导致BJT损坏。 增加基极驱动电流使电流上升率增大，使BJT饱和压降降低，从而减小开通损耗。 过大的驱动电流，使BJT饱和过深，退出饱和时间越长，对开关过程和减小关断损耗越不利。 驱动电路是否具有快速保护功能，是决定BJT在过电压或过电流后是否损坏的关键因素之一。 ①晶体管导通时，基极电流值在最大负载下应维护饱和导通，电流的上升率应充分大，以减小开通时间。 ②晶体管关断时，反向注入的基极电流峰值及下降率应充分大，以缩短关断时间。 ③为防止关断时的尾部效应而导致晶体管的损坏，驱动电路应提供给基射结合适的反偏电压，促使其快速关断，防止二次击穿。 箝位二极管VD2必须是快速恢复二极管且其耐压必须和晶体管的耐压相当。 当ui为高电平时，晶体管V1及V2导通，正电源+VCC经过电阻R3及V2向BJT提供正向基极电流，使BJT导通。 一种带反偏压的基极驱动电路 由CS、 RS 和 VDS 组成。 电容越大du/dt越小。 晶体管集电极电压被电容电压牵制，不会出现瞬时尖峰电压。 由LS和 VDS 组成。 如缓冲电感LS采用饱和电抗器效果会更好。 将储能元件中的储能通过适当的方式回馈给负载或电源，可以提高装置的效率。 由于BJT的二次击穿很快，远远小于快速熔断器的熔断时间，因此诸如快速熔断器之类的过电流保护方法对BJT类电力电子设备来说是无用的。 过电流保护依赖于驱动和特殊的保护电路。 逆变器运行时，可能发生桥臂短路故障，造成器件损坏。只有确认同一桥臂的一个BJT关断后，另一个BJT才能导通。这样能防止两管同时导通，避免桥臂短路。 (1)当环境温度高于+25℃时，BJT功率应按下述公式 计算PCM=(T1-T0) /RT (2)提高BJT可靠性的措施是：增大电压和电流裕量，同时改善散热条件。 (3) BJT工作于开关状态时，只工作于饱和和截止状态，放大区参数是没有意义的。 3.4 功率MOS驱动电路和缓冲电路 ① 驱动电路应简单、可靠。也需要考虑保护、隔离等问题。 ② 驱动电路的负载为容性负载。 ③按驱动电路与栅极的连接方式可分为直接驱动与隔离驱动。 ① 直接驱动 ①应存放在防静电容器中。取用器件时，不要拿引线。 ②工作台和烙铁都必须良好接地，焊接时电烙铁功率 应 25W，最好使用12V～24V的低电压烙铁，且前端作为接地点，先焊栅极，后焊漏极与源极。 ③在测试MOSFET时，测量仪器和工作台都要良好接地。 3.5 IGBT的栅极驱动电路 ①正向驱动电压+V增加时，IGBT输出级晶体管的导通压降和开通损耗值将下降，但不是+V值越高越好。 ②在关断时，栅射极的反偏压有利于IGBT的快速关断。 ③栅极驱动电路最好有对IGBT的完整保护能力。 ④为防止同一系统多个IGBT中某个的误导通，要求栅极配线走向应与主电流线尽可能远，且不要将多个IGBT的栅极驱动线捆扎在一起。 栅极驱动条件与IGBT的特性密切相关。设计栅极驱动电路时，应特别注意开通特性、负载短路能力和引起的误触发等问题。 驱动电路的输出级采用互补电路的型式以降低驱动源的内阻，同时加速IGBT的关断过程。 由于是电磁隔离方式，驱动级不需要专门直流电源，简化了电源结构。 (1) 静电保护 IGBT的输入级为MOSFET，所以IGBT也存在静电击穿的问题。防静电保护极为必要。可采用MOSFET防静电保护方法。 (2) 过电流保护 与BJT一样，IGBT过电流可采用集射极电压状态识别保护方法。 有缓冲电路： V开通时：Cs通过Rs向V放电，使iC先上一个台阶，以后因有Li，iC上升速度减慢。 V关断时：负载电流通过VDs向Cs分流，减轻了V的负担，抑制了du/dt和过电压。 (2) IGBT栅极驱动电路应满足的条件 栅极驱动电压脉冲的上升率和下降率要充分大，减小开关损耗。 在IGBT导通后，栅极驱动电路提供给IGBT的驱动电压和电流要具有足够的幅度。导通后，保持处于导通状态，即使瞬时过载也不退出。 驱动电路与控制电路隔离。抗干扰，引线短。 2. IGBT驱动电路 为了消除可能的振荡现象，IGBT的栅射极间接上RC网络组成阻尼滤波器且连线采用双绞线 (1) 阻尼滤波门极驱动电路： (2) 光耦合器门极驱动电路 ： (3) 脉冲变压器直接驱动IGBT的电路： (4) 集成驱动IGBT的电路： 集成驱动电路（M57962L） 集成驱动电路（EXB841） 集成驱动电路（EXB841） 集成驱动电路（EXB841） 3. IGBT的保护 (3) 短路保护 3. IGBT的缓冲电路 缓冲电路（吸收电路）：抑制器件的内因过电压、du/dt、过电流和di/d