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基于90nm低功耗NMOS工艺射频器件的版图优化.pdf
第34卷第6期 电子器件 V01．34No．6
2011年12月 Chine*Journal口fEleemm
in
forRFPerformanceEnhancement90-amLow-PowerNMOS。
LayoutOptimization
ZHENG Jun，SUN
Wei，LI耽njun’，LIULingling
Circuitsand
(研Laboratoryofea7 System,ofMi,“st形ofEducation，HangzhouD切面¨l妇毋．硪蟠；JlDⅡ310018，Ch／na)
Abstract：New are to thetransistorradio in90-nm
layoutapproachesproposedimprove
NMOS．Thiswork focusesonthe of effectof devicesonthe
specifically impactswiring multiple
more for
andresistances．Theinfluenceofexternalresistancebecomes
parasiticcapacitances pronouncedlarge—di—
of
mensionalRFtransistorsduetosevereIR ofdeviceratherthan number
drop．Bychangingmuhipler varying gate
Van to maximum
to total resistive bereduced
fingergetlarge width，gate parasitics effectively，leadingimproved
oscillation datashowedatremendous 300
GHz)
frequencyL．Afteroptimization止experiment increase(about
fromtheinitial
layout．
components；cutoff oscillation
Keywords：RF—MOSFET；layout；parasiticfrequency；maximumfrequency
EEACC：2570
doi：10．3969／j．issn．1005-9490．2011．06．011
基于90
郑 伟，李文钧+，刘 军，孙玲玲
(杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室，杭州310018)
摘 要：从器件版图结构的布局布线出发。提出了射频器件性能增强的的方法。寄生电容，寄生电阻会明显弱化大尺寸器件
的射
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