组成PARFMICRO.DEVICES公司的RF3146天线开关(双工器)三.docVIP

组成： PA：RF MICRO. DEVICES 公司的RF3146 天线开关(双工器): 三频: HITACHI 2MT43159R2-M090TK 收发器(射频前端): MTK MT6129C PA介绍: 是RFMD公司生产的第三代PowerStar功率放大器(PA)模块，集成了已获专利的整合功率控制技术的高功率（GSM35dB、DCS与PCS 33dB）、高效率（GSM 60%、DCS/PCS 55%）的射频功放模组，内置方向耦合器、检波二极管、和专用功率控制集成电路（ASIC），适用于GSM850、EGSM900、DCS、PCS频段，输出功率控制范围达到50dB。目前被三星手机大量采用。 内含CMOS电路，是ESD敏感器件。尺寸7X7X0.9mm. 以下是简化原理框图： 主要参数： 1、 最大输出功率 2、 总效率 3、 输入功率范围（全功率输出时） 4、 二次、三次谐波 5、 其它非谐波杂散 6、 输入、输出阻抗 7、 功率控制范围 8、 前向隔离度（在典型输入功率且发射禁止、或在最小控制功率时） 引脚功能描述： 引脚号名称功能描述 2VCC2GSMGSM驱动级的控制电压输入，需连接VCCOUT并去耦，分配给功率控制部分 6GSM850/900 OUTGSM频段射频输出脚，匹配与隔直电路内置，输出阻抗50欧 18VCC3GSMGSM输出级的控制电压输入，需连接VCCOUT并去耦，分配给功率控制部分 19、20VCC OUT流入VCC2、VCC3的控制电压输出，分配给功率控制部分，不能接其它引脚 21VCC3 DCS/PCSDCS/PCS输出级的控制电压输入，需连接VCCOUT并去耦，分配给功率控制部分 31DCS/PCS OUTDCS/PCS频段射频输出脚，匹配与隔直电路内置，输出阻抗50欧 35VCC2 DCS/PCSDCS/PCS驱动级的控制电压输入，需连接VCCOUT并去耦，分配给功率控制部分 37DCS/PCS INDCS/PCS频段的射频输入脚，输入阻抗50欧 39VCC1 DCS/PCSGSM、DCS/PCS预放大级的控制电压，内部提供，需加去耦 40BAND SEL允许外部控制选择频段，“0”为GSM，“1”为DCS/PCS 41TX ENABLE允许PA模组工作，“1”允许。 42、43VBATT模组电源，接电池 45VRAMP来自DAC的斜坡信号，根据BB的不同可能需外加RC低通滤波器 46VCC1GSM内部连接VCC1，不需外接 48GSM850/900 INGSM频段的射频输入，阻抗50欧 功率控制工作原理： 间接的闭环环路本质上是看不见的闭环功率控制模式，大部分GSM功率系统中是通过感应前向功率或集电极电流，RF3146不采用功率检测器，它合成了一个高速控制环路来调节放大器的集电极电压直到这一级保持恒定偏置，第二\\三极的极电极电压被调节到VRAMP信号乘以因数2.65的积, 偏置电路可用下图表示: 通过调节功率, 这级在所有功率等级都处于饱和状态。当所需要的输出功率从全功率减小到0dBm，集电极电压也相应减小。输功率的调节可用公式1表示： 式1 VCC为集电极电压，PdBm为输出功率，VSAT为饱和压降。 尽管负载阻抗影响输出功率，但电源波动对功率变化影响更大， RF3146通过对集电极电压进行调节将电压波动的影响消除。 有以下几点关键因素要考虑： 1、 电流消耗和系统效率 2、 由于电源变化造成的功率变化； 3、 由于频率变化造成的功率变化； 4、 由于温度变化造成的功率变化； 5、 输入阻抗变化； 6、 噪声功率； 7、 环路稳定性； 8、 各功率等级环路带宽的变化； 9、 突发脉冲和瞬时频普； 10、 谐波。 如果VRAMP明显低于VBATT，输出功率不会因为电源而改变，通过调节集电极电压，PA对电压的敏感被排除。不过，当电池电压下降到接近低电时，输出功率仍会有轻微下降。在这种情形下，减小VRAMP以防止功率控制产生诱导出现开关瞬时现象也是重要的。瞬时现象的结果是控制环路反应慢或瞬间失控。 VRAMP最大电压由式2给出： 式2 由于输出反电动势的作用，输出功率会随着频率而变化，电感电容等元件会有插入损耗的变化。微带线的频响特性也会随不同频率耦合因数的变化而有所改变，还有检波二极管的敏感性。RF3146由于没有方向耦合器，这些变化不会产生。 大部分PA输入阻抗会有变化，是因为CBE、CCB随偏置电压的改变（变容二极管原理）。大部分频率合成器设计者采用宽带闭环来补偿因为VCO负载的变化造成的频率变化。RF3146采用非常恒定的VCO负载，这是因为所有放大级采用恒定偏置。 采用改变偏置电压控制功率通