电子技术(第七版2011修改)PPT第十九章.pptVIP

例1：有一纯电阻负载，需要可调的直流电源：电压 UO = 0 ~ 180 V，电流 IO = 0 ~ 6 A。现采用单相半控桥式整流电路，试求交流电压的有效值，并选择整流元件。 解：设晶闸管导通角 ? 为 180?(控制角 ? = 0? )时，UO = 180 V，IO = 6 A，交流电压有效值 考虑到电网电压波动、管压降以及导通角常常到不了 180? 等因素，交流电压要比上述计算值适当加大 10% 左右，可取 220 V，因此可不用整流变压器，直接接到 220 V 的交流电源上。 为保证晶闸管在出现过电压时不致损坏，通常根据下列选取晶闸管的UDRM和URRM 。 因此，晶闸管可选用 KP5 — 7 型, 二极管可选用 2CZ5/300 型。 19.2.2 晶闸管的保护 晶闸管承受过电压、过电流的能力很差，这是它的主要缺点。 晶闸管的热容量很小，一旦发生过电流时，温度急剧上升，可能将PN结烧坏，造成元件内部断路或开路。例如一只100A的晶闸管过电流为 400A 时，仅允许持续 0.02 秒，否则将因过热而损坏； 晶闸管耐受过电压的能力极差，电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电流较大，使器件受损。 1. 晶闸管的过电流保护 (1) 快速熔断器保护 电路中加快速熔断器。当电路发生过电流故障时,它能在晶闸管过热损坏之前熔断，切断电流通路，以保证晶闸管的安全。 与晶闸 管串联 接在输入端 接在输出端 快速熔断器接入方式有三种，如下图所示。 (2) 过电流继电器保护 (3) 过电流截止保护 在输出端(直流输)或输入端(交流侧)接入过电流继电器，当电路发生过电流故障时，继电器动作，使电路自动切断。 在交流侧设置电流检测电路，利用过电流信号控制触发电路。当电路发生过电流故障时，检测电路控制触发脉冲迅速后移或停止产生触发脉冲，从而使晶闸管导通角减小或立即关断。 C R (2) 硒碓保护 2. 晶闸管的过电压保护 (1) 阻容保护 利用电容吸收过电压。其实质就是将造成过电压的能量变成电场能量储存到电容中, 然后释放到电阻中消耗掉。 硒碓保护 (硒整流片) C R 晶闸管元件 的阻容保护 19.2.3 单结晶体管触发电路 1. 单结晶体管 B2 第二基极 B1 N 欧姆接触 电阻 P 发射极E 第一基极 PN结 N型硅片 (a) 示意图 单结晶体管结构示意图及其表示符号 (b) 符号 (1) 结构 B2 E B1 (2) 工作原理 UE ? UBB+UD = UP 时 PN结反偏，IE很小； PN结正向导通, IE迅速增加。 UE ? UP时 ? – 分压比(0.5~ 0.9) UP – 峰点电压 UD – PN结正向导通压降 等效电路 测量单结晶体管的实验电路 由图可求得 RE (3) 单结晶体管的伏安特性 UV、IV(谷点电压、电流): 维持单结晶体管导通的 最小电压、电流。 UP(峰点电压)： 单结晶体管由截止变 导通所需发射极电压。 Ip IV UP 峰点电压 UV 谷点电压 V 负阻区 截止区 饱和区 UEUP后，大量空穴注入基区，致使IE增加、UE反而下降,出现负阻-负阻区。 P o IE UE (1) UE UP时单结晶体管截止； UE UP时单结晶体管导通， UE UV时恢复截止。 单结晶体管的特点 (2) 单结晶体管的峰点电压UP与外加 固定电压UBB及分压比?有关，峰 点电压UP或分压比?不同，则峰值电压 UP不同。 (3) 不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流 IV 都 不一样。谷点电压大约在2 ~ 5V之间。常选用? 稍大一些， UV稍小的单结晶体管，以增大输出 脉冲幅度和移相范围。 B2 E B1 2. 单结晶体管触发电路 (1) 振荡电路 单结晶体管弛张振荡电路 单结晶体管弛张振荡电路利用单结晶体管 的负阻特性及 RC 电路 的充放电特性组成频率可调的振荡电路。 (2) 振荡过程分析 设通电前uC =0。 接通电源U, 电容C经电阻 R充电。电容电压uC逐渐升高。 当uC ? UP时,单结晶体管导通, 电容C放电,R1上得到一脉冲电压。 Up UV Up-UD uC ?t ug ?t 电容放电至uC ? Uv时,单结晶体管重新关断,使ug?0。 o uC ?t ?t uO o 注意：R 值不能选的太小，否则单结晶体管不能关断，电路亦不能振荡。 uP uV