第1章 半导体激光器 2013.ppt

在晶格匹配的限制下，x和y的值就不能随便取了。 在与InP材料晶格匹配的限制下，x和y之间有如下关系： 在这种情况下，带隙为 一般情况下，在0 ≤ x ≤1，0 ≤ y ≤1的整个范围内，所得到的的半导体材料不一定就是直接带隙半导体。 但是，在0≤y≤1时，由x≈0.45y，得到，0≤x≤0.45。在这个取值范围内，半导体材料就是直接带隙半导体。0≤y≤1所对应的波长范围是0.92≤λg≤1.67(μm)。 (指无掺杂情况) 垂直腔表面发射激光器 垂直腔表面发射激光器（VCSEL, Vertical Cavity Surface Emitting Laser） 顾名思义，它的光发射方向与腔体垂直，而不是像普通激光器那样，与腔体平行。这种激光器的光腔轴线与注入电流方向相同。 VCSEL 激光器示意图 量子阱器件很薄的GaAs有源层夹在两层很宽的AlGaAs半导体材料中，所以它是一种异质结器件。在这种激光器中，有源层的厚度 d 很薄，导带中的禁带势能把电子封闭在 x 方向上的一维势能阱内，但是在 y 和 z 方向是自由的。这种封闭呈现量子效应，导致能带量化分成离散值。 这种状态密度的变化，改变了自发辐射和受激发射的速率。量子阱半导体激光器有源层厚度仅是10nm，约为异质结器件的1/10，所以注入电流的微小变化就可以引起输出激光的大幅度变化。 量子阱(QW) LD 量子阱 LD 示意图 半导体光放大器的机理 半导体光放大器的机理与激光器的相同，即通过受激发射放大入射光信号。 光放大器只是一个没有反馈的激光器，其核心是当放大器被光或电泵浦时，使粒子数反转获得光增益。该增益通常不仅与入射信号的频率（或波长）有关，而且与放大器内任一点的局部光强有关，该频率和光强与光增益的关系又取决于放大器介质。 半导体光放大器中的粒子数反转分布条件（受激辐射超过吸收）是波长或频率的函数， 如入射光波的频率为fc， 则满足hfcEg(Eg为半导体的禁带宽度)。 如果与Eg对应的最低光频或最长光波长能够放大， 则随着正向偏压的加大， 该波长的粒子数反转分布条件首先满足， 随着正向偏置电压的加大, 注入的电子占据了Ｐ型半导体的高能级， 这时短波长的信号开始放大。 实际上半导体SOA的放大带宽可达 100 nm， 可以同时放大1.30 μm、 1.55 μm窗口的信号。 半导体激光器的性质 ????1、伏安特性 ??????伏安特性描述的是半导体激光器的纯电学性质，通常用V-I曲线表示。V-I曲线的变化反映了激光器结特性的优劣。与伏安特性相关联的一个参数是LD的串联电阻。对V-I曲线进行一次微商即可确定工作电流（I）处的串联电阻（dV/dI）。对LD而言总是希望存在较小的串联电阻。 典型的V-I曲线和相应的dV/dI曲线 2、P-I特性 ??????? P-I 特性揭示了激光器输出光功率与注入电流之间的变化规律，因此是激光器最重要的特性之一。 典型的激光器P-I曲线 由P-I曲线可知，半导体激光器是阈值型器件，随注入电流的不同而经历了几个典型阶段。 当注入电流较小时，有源区里不能实现粒子数反转，自发辐射占主导地位，半导体激光器发射普通的荧光，光谱很宽，其工作状态类似于一般的发光二极管。 随着注入电流的加大，有源区里实现了粒子数反转，受激辐射开始占主导地位，但当注入电流仍小于阈值电流时，谐振腔里的增益还不足以克服损耗，不能在腔内建立起一定模式的振荡，半导体激光器发射的仅仅是较强的荧光，称为“超辐射”状态。 只有当注入电流达到阈值以后，才能发射谱线尖锐、模式明确的激光，光谱突然变窄并出现单峰（或多峰）。 ?????? P-I 特性曲线决定了一系列半导体激光器参数与特性： 半导体激光器的工作特性 　　1．阈值电流。当注入p-n结的电流较低时，只有自发辐射产生，随电流值的增大增益也增大，达阈值电流时，p-n结产生激光。影响阈值的几个因素： 　　（1）晶体的掺杂浓度越大，阈值越小。 　　（2）谐振腔的损耗小，如增大反射率，阈值就低。 　　（3）与半导体材料结型有关，异质结阈值电流比同质结低得多。目前，室温下同质结的阈值电流大于30000A/cm2；单异质结约为8000A/cm2；双异质结约为1600A/cm2。现在已用双异质结制成在室温下能连续输出几十毫瓦的半导体激光器。 　　（4）温度愈高，阈值越高。100K以上，阈值随T的三次方增加。因此，半导体激光器最好在低温和室温下工作。 　　 折射率 电子能量 有源区 注入电子 电子势垒 电子-空穴复合 注入空穴 空穴势垒 波导区 异质结： 为提高辐射功率，需 要对载流子和辐射光 产生有效约束 1. 不连续的带隙结构 2. 折射率不连续分布