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高功率半导体量子阱激光器测试中的突变性损伤

维普资讯 第 23卷 第 5期 发 光 学 报 Vo1.23 No.5 2002年 1O月 CHINESEJOURNAIOFLUMINESCENCE Oct.,2002 文章编号:1000—7032(2002}05.0477.04 高功率半导体量子阱激光器测试中的灾变性损伤 曹玉莲 ,王 乐2,潘玉寨 ,廖新胜 ,程东明 ,刘 云 ,王立军 卜 (1.中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春 130022; 2.吉林大学 电子科学与工程学院,吉林 长春 130026) 摘要:在使用综合参数测试仪测试808nm发射的半导体量子阱激光器的过程中,出现了一种由电浪涌所导

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