SU8胶光刻工艺参数优化研究.pdfVIP

第3期 微细加工技术 No．3 2005年9月 MICROFABRICATIONTECHNOLOGY Sep．·2005 文章编号：1003．8213(2005)03—0036-06 SU．8胶光刻工艺参数优化研究 张哗，陈迪，张金娅，倪智萍，朱军，刘景全 (上海交通大学微纳科学技术研究院微米／纳米加工技术国家级重点实验室 薄膜与微细技术教育部重点实验室，上海200030) 摘要：对基于SU一8胶的UV—LIGA技术进行了工艺优化，研究了光源波长和曝光时 间对SU一8胶成型的影响。结果表明，光刻胶表面线宽变化随曝光时间增加先减少 后增加，有一个极小值；侧壁角度先增加后减少，有一个极大值。通过优化光源波 o正角的 长、曝光时间以及显影时间三个主要工艺参数，可以获得侧壁角度为90．64 300 o近似垂直的500 ttm厚光刻胶微结构和侧壁角度为89．98 btm厚光刻胶微结构。 关键词：UV．LIGA技术；SU．8胶；高深宽比；微结构 中图分类号：TN23 文献标识码：A 1 引言 18[6]，而对于高深宽比圆柱结构而言，所获得 的深宽比还不超过10[5J。在本实验中通过 SU．8胶是一种在微机电系统(MEMS)优化工艺参数得到了深宽比为20的微圆柱 中广泛应用的负性厚光刻胶L1l。由于su一8结构。衡量高深宽比微结构有两个重要的参 胶光敏性较好，同时吸收系数也较小，几百微 数：线宽变化和倾角角度。前者关系到所做 米厚的SU一8胶进行紫外光刻，在较短的时 图形的可控性和精确性，而后者则关系到其 间内即可达到曝光剂量的要求，而且厚胶内 后期作为模具的可行性。在现有对于SU一8 的曝光剂量也比较均匀【2J。因此它几乎应 胶的研究中，人们对于表面线宽的控制已经 用到了MEMS的各个方面，例如作为塑性机达到了一定的精确度[7|。但是对于高深宽比 械结构、微模具、微流体器件的微通道结构等 的SU一8胶来说，由于其胶厚很厚(100肚m一 竺[3—5] 1 寸0 200弘m)，底部和顶部的感光量必定有差 由于SU一8胶可以用紫外光进行光刻， 值，要保证表面线宽变化很小，往往会造成底 光刻厚度达数百微米，可部分取代LIGA技部由于曝光不足而出现倒角现象(T．top)。 术中的同步辐射x光光刻工艺，这大大降低 尤其在300 ttm以上的胶厚中，这种现象更 了LIGA技术的成本。目前利用常规的紫外为明显，而且这给之后将其作为模具以及电 曝光工艺，文献报道的最大高深宽比值为 镀金属模具之后的脱模带来困难。现在已经 收稿日期：2005．01．12；修订日期：2005．03．04 基金项目：国家科技部863资助项目(2004AA404260) 胶工艺等。 万方数据 第3期 张晔等：SU．8胶光刻工艺参数优化研究 37 有了一些消除倒角的方法，如灰度曝光、多次 骤包括：清洗烘干、甩胶、前烘、曝光、后烘以 倾斜曝光、背面曝光、用长波长光源以及减少 及显影。SU．8胶对于基体的清洁度要求极 PGA浓度[8-10]。但是这些方法都有其局限性高，必须采用严格的程序清洗基体。首先用 和缺点，如成本太高、