微机保护装置过电压耐受能力试验分析 experimental analysis on over-voltage bearing ability of microprocessor-based protective equipment.pdfVIP

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微机保护装置过电压耐受能力试验分析 experimental analysis on over-voltage bearing ability of microprocessor-based protective equipment

高电压技术第36卷第12期2010年12月31日 2902 31,2010 HighVoltageEngineering.V01.36.No.12。December 微机保护装置过电压耐受能力试验分析 陈 楠1,文习山·,蓝 磊1,蒋日坤1,刘张磊2,杨建军3 (1.武汉大学电气工程学院,武汉430072;2.长沙电业局,长沙410015; 3.华东勘测设计研究院,杭州310000) 摘要:变电站地网电位升高可能会干扰甚至破坏相关二次设备。为此。对变电站微机保护装置各独立回路对地 之间进行了工频耐压和冲击耐压试验,同时试验研究了保护装置内部光电隔离电路的冲击和工频电压耐受能力。 试验结果表明:微机保护装置的工频和冲击电压耐受能力低于传统继电保护设备;装置内部光电隔离回路所能承 受的耐压远小于光隔芯片本身的隔离电压;耐压试验数据具有一定的分散性,冲击过电压的破坏作用远大于工频 过电压。最后推荐了微机的抗干扰措施,并认为只要按要求做好相关保护工作。可以避免由于地电位升对微机保 护装置的破坏和干扰。 关键词:变电站;地电位升;微机保护装置;光耦;耐压试验;抗干扰 中图分类号:TM769 文献标志码:A 文章编号:1003-6520(2010)12—2902—05 on of ExperimentalAnalysisOver-voltageBearingAbility Protective Microprocessor-basedEquipment CHEN Nanl,WENXi—shanl,LANLeil,儿ANGRi—kunl,LIUZhang—lei2,YANGJian-jan3 (1.SchoolofElectrical Engineering,WuhanUniversity,Wuhan430072,China; ElectricPower 410015,China; 2.Changsha Bureau,Changsha China and 3.East 310000,China) InvestigationDesignInstitute,Hangzhou oreven therelated Abstract:Increaseof insubstationinterferedamage device. groundgridpotential may secondary and withstandtestswere for frequency microprocessor-based Therefore-workingimpulse voltage implemented pro— tective betweentheir circuitstO isolationcircuitsinside equipment independentground.Meanwhile.theoptical pro— tective were resultss

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