微晶硅材料高速生长及其在太阳能电池中的应用 high rate-deposition of microcrystalline silicon films and solar cell.pdfVIP

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2017-08-18 发布于上海
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微晶硅材料高速生长及其在太阳能电池中的应用 high rate-deposition of microcrystalline silicon films and solar cell.pdf

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微晶硅材料高速生长及其在太阳能电池中的应用 high rate-deposition of microcrystalline silicon films and solar cell

支撑技术 T Supporting Technology S 微晶硅材料高速生长及其在太阳能电池中的应用 1a 2 2 2 1a 1a 1a 孙建俞远高王锐侯国付薛俊明赵颖耿新华1a 李乙钢1b 1.南开大学a.光电子所 b.学物理学院天津 300071; 2.河北工业大学天津 300130 摘要高气压耗尽RF-PECVD在高速生长优质微晶硅材料和太阳能电池方面具有巨大的优势采用这种沉积方法本征微晶硅材料的生长速度提高到0.32 nm/s晶化率达58.2%把这种高速生长的微晶硅材料用作太阳电池的本征吸收层在没有优化工艺参数和没有采用ZnO增反电极时电池的转换效率达到 4.8% 关键词高速生长微晶硅电池高压耗尽 + 中图分类号 TN304.12 TM914.4文献标识码 A 文章编号 1003-353X200609-0697-05 and Solar Cell 1a,b 2 2 1a 1a 1a SUN Jian, YU Yuan-gao,WANG Rui, HOU Guo-fu, XUE Jun-ming, ZHAO Ying 1a 1b GENG Xin-hua, LI Yi-gang (1 300071,China;2.Heibei University of Technology, Tianjin300130,China) Abstract: 4.8% was obtained. Key words: 1 引言限制了非晶硅太阳能电池的转换效率此外非晶 [3] 硅材料本身的S-W效应使得电池性能不稳定限二十多年来非晶硅 a-Si:H薄膜太阳电制了其进一步的应用这也就迫使人们寻求新型的池由于成本低便于大规模生产得到了迅速发展光伏材料实现高效稳定低成本的光伏电池 [1-2] 和广泛的应用但是由于其光学带隙达1.7eV 微晶硅薄膜是介于非晶硅和单晶硅之间的一种混合使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感相无序半导体材料即有非晶硅的高吸收系数特基金项目国家重点基础研究发展计划 973项目 200028202性同时又具有单晶硅稳定的光学性质并且可以 200028203南开大学博士启动基金 J02033国家教育部光电子信息技术科学重点实验室资助的课题 2005-18