第5讲 mos管阈值电压和iv.ppt

第5讲 MOS管的理论公式 MOS管阈值电压的物理学定义 定义 使沟道中反型载流子浓度与衬底中多数载流子浓度相等时所需要的栅源电压定义为阈值电压。 推导阈值电压时的外部连接和内部状态 源漏区都接地，沟道刚刚产生，厚度忽略。 推导思路 如何使栅氧化层与半导体接触面的表面势与衬底材料的静电势大小相等，方向（符号）相反。 NMOS管的体（P型）的静电势为 使表面势为-Vfp（正数）需要施加的栅源电压即阈值电压。 推导阈值电压需考虑的各种因素 考虑接触电势差和表面附加电荷 体接源极（VSB=0）时的公式 VSB为0时的阈值电压公式 考虑体电位的阈值电压公式 完整公式如下 此公式对电路设计者的意义 阈值电压与温度有关。 阈值电压与体电位有关。 阈值电压与工艺偏差有关。 研究阈值电压与温度的关系的文件 *------ 例6: ST02工艺NMOS阈值电压分析------------ *------------------------------------------------ .option post=2 $输出波形文件 *------------------------------------------------ .option search="d:/hspice2011/libs" $指定库路径 *------------------------------------------------ .lib "st02.lib" tt $指定模型库和入口 *------------------------------------------------ .temp 25 $指定环境温度 *------------------------------------------------ m1 nd ng ns nb mn w=20u l=0.5u vg ng gnd 1 vd nd gnd 5 vs ns gnd 0 vb nb gnd 0 *------------------------------------------------ .print dc i1(m1) $记录m1第一个节点的电流 *------------------------------------------------ .dc vg 0.4 1 0.01 sweep temp -40 85 10 .print LV9(m1) .end 阈值电压与温度的关系 利用SPICE模型给出的VTH别名的仿真分析文件 *--- 例8: NMOS阈值(别名）与温度关系分析-------- *------------------------------------------------ .option post=2 $输出波形文件 *------------------------------------------------ .option search="d:/hspice2011/libs" $指定库路径 *------------------------------------------------ .lib "st02.lib" tt $指定模型库和入口 *------------------------------------------------ .temp 25 $指定环境温度 *------------------------------------------------ m1 nd ng gnd nb mn w=20u l=0.5u vgs ng gnd 1 vds nd gnd 1 vbs nb gnd 0 *------------------------------------------------ .print dc i1(m1) $记录m1第一个节点的电流 *------------------------------------------------ .dc temp -40 85 1 .print LV9(m1) .end 阈值电压随温度变化曲线 实验结果 阈值电压随温度升高而下降。 在VGS和VDS不变时，ID随温度升高而升高。 阈值电压与体电位的关系 体电位对阈值电压影响的仿真文件 *--- 例7: NMOS阈值(别名）与体电位关系分析-------- *------------------------------------------------ .option post=2 $输出波形文件 *------------------------------------------------ .option search="d:/hspice2011/libs" $指定库路径 *-