正电子湮灭技术.ppt

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正电子湮灭技术

正电子湮没技术;概述 ;正电子发展历史 ;正电子与电子湮没:2?湮没 ;正电子素;正电子与电子湮没:3?湮没;3?湮没转换为2?湮没 ;正电子的寿命 ;湮没对的动量守恒;湮没过程中动量守恒矢量图 ;多普勒能移;正电子放射源 ;22Na (2.6Y);正电子湮没三种实验方法 ;典型的2?湮没角关联测量系统 ;图4、多普勒展宽谱仪原理图;门;正电子在固体物质中的注入;正电子在固体物质中的扩散;正电子在固体物质中的捕获 ;缺陷的分类;空位型晶体缺陷 ;刃位错点阵示意图;堆垛层错缺陷 ;晶粒间界 ;缺陷的表示符号 ;二态捕获模型 ;二态捕获模型的初始条件 ;二态捕获模型分析解;正电子寿命谱与二态捕获模型 ;寿命谱结果与二态捕获模型;二态捕获模型的近似;无逃逸近似;低缺陷浓度近似;捕获率?与缺陷浓度C的关系 ;正电子的平均寿命 ;实验谱的数据分析 ;PositronFit程序的数学模型;设湮没率为?j寿命成分的理想???是下面的指数曲线: 对上式在[0,?]区域积分,可得曲线下面积为I0j/?j,表示该寿命成分的强度。 谱仪分辨函数曲线用归一化高斯函数表示: 其中高斯曲线的标准偏差 与谱仪分辨率的关系为: ;将Ij(t)与P(t)求卷积得 Fj(t)是湮没率为?j的寿命成分对寿命谱的贡献。该寿命成分对第i道计数的贡献Fji为 设寿命谱的本底为B,含有K0个寿命成分,则第i道计数的表达式为 此式是程序拟合时所用的最终表达式。其中,fi是实测寿命谱第i道的统计计数。;多普勒线形参数 ;图6、多普勒展宽谱线形参数的定义 ;线形参数的定义 ;正电子湮没技术的应用 ;金属及合金研究中的应用 ;金属中的点缺陷;非晶态合金;合金相变;氢脆及金属氢化物的研究;离子固体; 半导体 ;分子材料

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