多晶硅讨论稿.DOCVIP

前 言 本标准按照GB/T1.1-2009给出的规则起草。 本标准代替GB/12963-2009《硅多晶》，本标准与GB/12963-2009相比，主要有如下变动： ——增加引用下列国家标准： GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法硅单晶中-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法GB/T 24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中、族杂质含量的测试方法×1016at cm3，2×1016at cm3，2×1016at cm3修订为1×1016at cm3，1.5×1016at cm3，2×1016at cm3； 本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分会（SAC/TC203/SC2）归口。 本标准起草单位：东方电气集团峨嵋半导体材料有限公司 本标准所代替标准的历次版本发布情况为： ——GB/12963-1996、GB/12963-2009 硅 多 晶 范围 本标准规定了的产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、包装、运输贮存。 本标准适用于 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 1553 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法 GB/T 1558 硅代位碳含量红外吸收方法 GB/T 4059 硅多晶气氛区熔磷检验法 GB/T 4060 硅多晶真空区熔基硼检验法GB/T 4061 硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法 GB/T 13389 掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程 GB/T 14264 半导体材料术语硅单晶中-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法GB/T 24581 低温傅立叶变换红外光谱法测量硅单晶中、族杂质含量的测试方法GB/T 14264规定的及以下术语适用于本标准 氧化夹层（Oxide lamella） 硅多晶横断面上呈同心圆状的氧化硅夹杂。 要求 4.1 产品分类 产品按外分为块状棒状，根据的差别分为级。 牌号 牌号表示为：—□—□ 阿拉伯数字表示多晶等级 字母I表示棒状，N表示块状表示多晶多晶的应符合表1的规定表1 项目 多晶等级 1级品 2级品 3级品 电阻率Ω·cm） ≥500 ≥300 ≥200 基硼电阻率Ω·cm） ≥3000 ≥2000 ≥1000 n型少数载流子寿命μs） ≥500 ≥300 ≥100 碳浓度atoms/cm3） 1×1016 1.5×1016 2×1016 氧浓度（atoms/cm3） ≤1×1017 ≤1×1017 ≤1×1017 项目 多晶等级 1级品 2级品 3级品 ≤0.25 ≤0.40 ≤0.67 受主杂质浓度(ppba) ≤0.08 ≤0.12 ≤0.25 碳浓度 氧浓度（ppma） 2 2 2 基体金属杂质ppbw) Fe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤2.5 Fe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤5.0 Fe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤10 表面金属杂质浓度 (ppbw) Fe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤5.0 Fe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤10 Fe、Cr、Ni、Cu、ZnTMI(Total metal impurities)总金属杂质含量：≤15 注：1.基体金属杂质 4.2.2 硅多晶尺寸范围 4.2.2.1 块状具有无规则的形状和随机尺寸分布，其线性尺寸最小为mm，最大为00mm。 块状的尺寸分布范围为： ～25mm的最多占重量的15%； 25～mm的占重量的15%～35%； ～00mm的最少占重量的65%。棒状的直径长度尺寸由供需双方商定≤5%（针对棒状多晶）。 4.3 结构表面质量 。 。测试方法导电类型检验按GB/T 1550测试 5.2 硅多晶基磷电阻率按GB/T 测试 5.3 硅多晶基硼电阻率按GB/T 测试少数载流子寿命测量按GB/T 155测试 5.5 硅多晶中氧浓度测量按GB/T 155测试 5