第三篇 光生伏特传感器.pptVIP

第三章 光生伏特传感器 3.1光敏二极管 3.2光敏三极管 3.3半导体色敏器件 3.4光电池 3.1光敏二极管 3.1.1光敏二极管工作原理和结构 光敏二极管在电路中通常处于反向偏置状态，当没有光照射时，其反向电阻很大，反向电流很小，这种反向电流称为暗电流。 当有光照时，PN结及其附近产生电子一空穴对，它们在反向电压作用下参与导电，形成比光照时大得多的反向电流，该反向电流称为光电流，此时光敏二极管的反向电阻下降。 光电流与光照强度成正比。如果外电路接上负载，便可获得随光照强弱变化的电信号。 3.1.2光敏二极管的基本特性 光敏二极管的基本特性包括光谱特性、伏安特性、光照特性、温度特性、响应特性等。1光谱特性： 光敏二极管在人射光射度一定时，输出的光电流（或相对灵敏度）随光波波长的变化而变化。一种光敏二极管只对某些波长的人射光敏感，这就是它的光谱特性 光谱响应 2．伏安特性 光敏二极管的伏安特性也就是在一定照度下的电流电压特性。光敏二极管的伏安特性如图所示 3．光照特性 光敏二极管的光照特性如图所示，它给出了光敏二极管的光电流与照度的关系。从图中可以看出，光敏二极管光照特性的线性好。 4．温度特性 温度变化对光敏二极管输出电流的影响较小，但是对暗电流的影响却十分显著，如图所示。 光敏二极管在高照度下工作时，由于亮电流比暗电流大得多，温度影响相对来说比较小。但在低照度下工作时，因为亮电流较小，暗电流随温度的变化就会严重影响输出信号的温度稳定性。 因此可作如下几点考虑：①选用硅光敏二极管，这是因为硅管的暗电流要比锗管小几个数量级；②在电路中采取适当的温度补偿措施必将光信号进行调制，对输出的电信号采用交流放大，利用电路中隔直电容的作用，隔断暗电流。 5．时间响应特性 硅光敏二极管的上升时间 响应速度很快，因此，硅光敏二极管适合于要求快速响应或人射光调制频率较高的场合。 6. 噪声 3.1.3光敏二极管的型号参数 光敏二极管主要用于可见光和近红外光探测器，以及光电转换的自动控制仪器、触发器、光电耦合、编码器、特性识别、过程控制和激光接收等方面。 其他型号的光敏二极管（如2CU1—2CU4），可用于可见光及近红外光的接收、自动控制仪器和电气设备的光电转换系统。而2CU80型为低照度宽光谱光敏二极管，可用于多段亮度计和地物光谱仪及微弱光的探测。 3.1.3 其他类型的光生伏特器件 1 PIN型光电二极管 2）.工作原理 3）.噪声 3.1.4光敏二极管的应用 如图给出一个路灯的自动控制电路。从图可知，在无光射时，光敏二极管（反向）截止，电阻尼上的压降VA很小，则晶体管TI截止T2截止，继电器1不动作，路灯保持亮。 有光照射时，光敏管产生光电流IL，R电压下降，VA上升，光强达到某一值时T1导通，T2导通。J动作常闭端打开，使路灯灭。即白天灯灭，晚上灯亮，起到了自动控制的作用。 2．光强测量电路 图为由稳压管、光敏二极管和电桥组成的测量电路。 无光照时，VA很大，FET 导通，调整Rw，使电桥平衡，即指针为0。 有光照时，光敏管产生IL，A点电位VA降 降，R2上电流下降，VB减小；光照不同IL不同，VA不同，R2上压降不同，光强可以通过电流计读数显示出来。 3 光位置传感器的结构原理 光位置传感器是一种硅光电二极管，它利用光线来检测位置，其工作原理如图2．46所示。当光线照射到硅光电二极管的某一位置时，结区的光电子向N层漂移，空穴向P层漂移。到达P层的空穴 光位置传感器同样适用二维位置检测，其原理如图所示，a人极用于检测x方向，a’b ’极用于检测 y方向。目前该光位置传感器能测定的面积为 13 x 13mm2。 3.2.1光敏三极管的工作原理和结构 3.2.2光敏三极管的基本特性 1 光谱特性 光敏三极管的光谱特性与光敏二极管相似，要考虑光谱匹配。 2．伏安特性 光敏三极管的伏安特性如图所示，从图中可以看出： ①在无偏压时，光敏三极管仍 有光电流输出，这是由光敏管的光电效应性质所决定的； ②光敏三极管的光电流比同样照度 下的光敏二极管要大β倍； ③光敏三极管在不同照度下的输出特性和一般三极管在不同基 极电流时的输出特性一样，因而只要把人射光的光照变化看成基极电流的变化，就可把光敏 三极管看成三极管。 4、温度特性