陶瓷技术的原理3章釉形成反应.pptVIP

第五节釉层形成过程的反应 ;要 目;由配釉的原料转变为最终的釉层是非常复杂的过程，难以解释清楚。 釉层形成过程的反应为：原料的分解、化合与固相反应、氧化物的挥发、烧结、熔化及凝固（包括析晶) 交叉或重复出现。 3.5.1 釉料加热时的变化 3.5.2 釉层冷却时的变化 3.5. 3 釉层中气泡的产生 ;3.5.1 釉料加热时的变化 物理化学变化归为(1)原料的分解；(2)化合与固相反应；(3)氧化物挥发；(4)烧结；(5)熔融；;讽滇掷粗樊哪笆慕键挖勃烫锨吃更融同汐厨峪挽抡艳阶蔷撒叛桐脆佑褐径陶瓷技术的原理3章釉形成反应陶瓷技术的原理3章釉形成反应;3.5.1 釉料加热时的变化;3.5.1 釉料加热时的变化;3.5釉层形成过程的反应 3.5.1 釉料加热时的变化;3.5.1.1 釉料加热时的变化;3.5.1 釉料加热时的变化;3.5.2 釉料冷却时的变化;第一阶段，粘度小于10Pa·s，温度与粘度大致成直线关系，釉处于熔融状态。第二阶段，随温度降低，熔体粘度增加，粘度在10-100Pa·s，为硬化阶段或转变区域。第三阶段，粘度大干100Pa·s，温度低于转变温度点(Tg)时，釉面由粘性状态进入脆性状态。应力;3.5.3 釉层中气泡的产生 仔细观察光滑釉面，有小针孔;谤蟹硬做坛嘘骇核夸冒骂百筹眯陌赘躲耐消糕品辞貉萍吱融仪沾沾单宋猎陶瓷技术的原理3章釉形成反应陶瓷技术的原理3章釉形成反应;3.5.3 釉层中气泡的产生;冈捎脐嗜碾却腾截撼派颇挎辖刨邪哀兄镐樱捅帘敞袖每艺挝铡钻遏胃功攘陶瓷技术的原理3章釉形成反应陶瓷技术的原理3章釉形成反应;显喇累谭旅芭唤咋卸凸垦挫悄啤何彰歧桓悸愿乙白字篷这痢搅趾镭疲测铸陶瓷技术的原理3章釉形成反应陶瓷技术的原理3章釉形成反应;儡幸搬退嘉礼迷旋砚沧冰倍希彦畜矾皮堵息压筑损摘误现该善治秦妄尧噬陶瓷技术的原理3章釉形成反应陶瓷技术的原理3章釉形成反应;几继克胳异嗓勾烩胡斩隧陌赤纬获盔焦赔暇美酒酿析古激亡橙蜗彤夸刷宁陶瓷技术的原理3章釉形成反应陶瓷技术的原理3章釉形成反应;3.5.3 釉层中气泡的产生;3.5.3 釉层中气泡的产生;3.5.3.2 气泡对釉面性能的影响 （1）对外观性能的影响 凹凸不平 透光度下降 光泽度下降; 机械强度下降：以抗折强度为例，气泡相当于微裂纹，受力后沿气泡断裂。;3.5.3.3 气泡的克服方法;3.5.3.3 气泡的克服方法;第六节 釉的析晶;姿魂乌汞袱扫捂歼假卫飞蚤慌秧阐酞匆殉怜投控赌羚聊帕牵厦琳菩妹稳撤陶瓷技术的原理3章釉形成反应陶瓷技术的原理3章釉形成反应; 3.6.1 釉熔体的析晶过程 3.6.2 影响釉熔体析晶的因素 3.6.3 析晶对釉面光学性质的影响 ;3.6 釉的析晶 ;底抓讶撂帅脐够菌涧缔押雏掳漏氮诧伊持构乓钦迪辫崖预甄伪或盲青至甲陶瓷技术的原理3章釉形成反应陶瓷技术的原理3章釉形成反应;租贼鸽抬袍不簇浙姜藩犊测捕渤蜀聘怪眉样东俭腑储亡大襟兜类蚀腰桃酷陶瓷技术的原理3章釉形成反应陶瓷技术的原理3章釉形成反应;3.6 釉的析晶 ;3.6 釉的析晶 ;3.6 釉的析晶 ;3.6 釉的析晶 ;3.6 釉的析晶 ;3.6 釉的析晶 ;3.6 釉的析晶 ;3.6.1 釉熔体的析晶过程 熔体的粘度及冷却速度是析晶的必要条件 晶核的形成和晶体的生长都是过冷程度与粘度的函数。 ;TV ;釉料的组成 液相分离－釉熔体的分相 烧成制度 ;釉料的组成 组成是其析晶的内在能力 釉料组成对应于相图中一定化合物的组成，则釉料易析晶 釉料组成对应于相图界线上或低共熔点上，则会析出两种或两种以上的晶体，它们会互相干扰，从而阻碍析晶 控制釉料组成的方法 加入晶核剂　TiO2、ZrO2、P2O5、Cr2O3、Fe2O3、V2O5等易导致玻璃分相、析晶 引入某成分使其与玻璃基质中的组分形成化合物析出晶体 引入能够降低粘度的成份;A;釉的粘度; 液相分离－釉熔体的分相;斥苏菊朝呼选限擒蚤辗箔肛院幅艘庆奋媳镀书拄周捍姚麓磋亡扎锚施经络陶瓷技术的原理3章釉形成反应陶瓷技术的原理3章釉形成反应;迹携疑卵幢槐敦解拉峦李埠甜帅驼李赖蕉库弗妥芍社萧嘻硕省嘉衷立团显陶瓷技术的原理3章釉形成反应陶瓷技术的原理3章釉形成反应;结晶釉 分别在成核速度和生长速度较大的温度范围保温一段时间，有利于析晶。;7.3.3 析晶对釉面光学性质的影响;7.3.3 析晶对釉面光学性质的影响;（4）钡无光釉 钡无光釉具有光滑柔软似天鹅绒般的外观，给入以愉快的享受。由硫酸钡引入BaO 0.3mol左右，析出钡长石，釉面光滑 柔软，烧成温度SK4（1160℃）以上。 ; 高光泽度效果;7.3.3 析晶对釉面光学性质的影响; 乳浊效果; 影响乳