绝缘栅双极型晶体管(IGBT)(一).PDF

知识讲座 doi:10.3969/j.issn.1563-4795.2011.10.014 电力电子 是半导体功率器件的总称， 是构成电力电子设备的基础， 是从事电力电子 【编者按】 器件 器件设计、 研发、 生产、 营销和应用人员以及电源技术工作者应该熟悉的内容。 本刊从今年 月份 4 开始以 “ 电力电子器件知识” 为题开展讲座， 以满足广大读者增长知识和用好这些器件的需求。 欢迎厂家及用户的工程师们撰稿， 并望提出宝贵意见。 电力电子器件知识讲座 ( 七) 绝缘栅双极型晶体管(IGBT) (一) 乔恩明 薛玉均 刘 敏 （供稿） 本刊编辑部 张乃国 改编 ( ) 绝缘栅双极型晶体管 (Insulated Gate Bipolar 力提高电压、 电流容量和开关频率。 目前已成为 Transistor ， 简称IGBT) 是由功率MOSFET和GTR 复 应用最广泛的电力电子器件之一。 合而成的一种具有电压控制的双极型自关断器件。 1 IGBT的基本结构 GTR饱和压降低， 载流密度大， 但驱动电流较大， 驱动电路复杂； 功率MOSFET驱动功率小， 驱动电 1.1 IGBT的基本结构 路简单， 开关速度快， 但导通压降大， 载流密度 绝缘栅双极型晶体管本质上是一个场效应晶 小。 IGBT综合了GTR和功率MOSFET 的优点， 具有 输入阻抗高、 开关速度快、 驱动功率小、 饱和压 体管， 在结构上与功率MOSFET相似， 只是原功率 + 的漏极和漏区之间额外增加了一个 型 MOSFET P 降低、 控制电路简单、 耐高压、 承受电流大等特 层。 图 所示为一个 沟道增强型绝缘栅双极型晶 1 N 性， 在各种电力变换中获得极广泛的应用。 由于 体管结构剖面图， N+ 区称为源区， 附于其上的电 设计最佳化及近年来应用了大容量存储器的工艺 技术， 其特性有了很大的改善， 应用范围已超过 极称为 “ 发射极” ( 等效于功率MOSFET 中的源 了过去GTR 及功率MOSFET 。 自1986年投入市场 后， IGBT 就迅速扩展了应用领域， 取代了GTR和 一部分功率MOSFET 的市场， 成为中、 大功率电力 电子设备的主导器件， 不仅应用于电力系统， 而 且也广泛应用于一般工业、 交通运输、 通信系统、 计算机系统、 新能源系统， 还应用于照明、