薄膜生长中的表面动力学(Ⅰ)-物理学进展.PDF

第 23 卷 　第 1 期 物 　理 　学 　进 　展 Vol . 23 ,No . 1 　2003 年 3 月 PRO GR ESS IN PH YSICS Mar . ,2003 文章编号 (2003) 0 1000 16 1 ( ) 薄膜生长中的表面动力学 Ⅰ 王恩哥 ( 中国科学院物理研究所国际量子结构中心 ,北京 　100080) 摘 　要 : 　本文较全面地从理论上研究了薄膜生长过程中原子在表面上的各种动力学表 现 ,涉及的内容包括亚单层生长时 ,原子在表面上的扩散 ,粘接 ,成核 , 以及已经形成的原子岛 ( 之间的相互作用 ,兼并 ,失稳 ,退化等一系列过程。作为研究的基础 ,在本文的第一部分 即 ) 0～6章 中 ,我们首先介绍了目前这方面理论研究中所主要使用的各种方法。例如 ,第一性原 ( ) 理计算 ,分子动力学模拟 ,蒙特卡罗模拟 ,速率方程和过渡态 TST 理论等。基于这些研究 , 我们介绍给读者为什么原子成岛时在低温下选择分形状 ,而在高温时则选择紧致状 。这一过 ( gregation ,DLA) 。然而当有表面 程可以用经典的扩散子限制集聚理论 Diffusion-Limited Ag ( 活性剂存在时形核的规律完全相反 , 由此提出了一个反应限制集聚理论 Reaction-Limited Aggregation ,RLA) 。这两个理论 目前可以很好地解释亚单层生长时的一般形核规律 。接下 来我们讨论了长程相互作用对生长初期原子形核的影响 ,并进一步得出了相应的标度理论 。 在第 6 章我们系统地研究了分了吸附对二维原子岛形状的控制性 ,从而提出了边角原子扩 散的对称破缺模型 。 关键词 : 　表面动力学 ;薄膜生长 ;纳米结构 ;形核理论 ;原子扩散 中图分类号 : 　O484 1 　　　　　　　　　　文献标识码 : 　A 0 　引　言 随着现代微电子及光电子工业向着集成化和微型化发展的趋势 ,探索满足特殊需求 的材料和器件结构并研究其制备过程 、控制条件以及相关的特异量子效应 , 已经成为当今 众多学科交叉研究的热点之一 。特别是为了满足市场需求 ,器件的尺寸将越做越小 。40 年代的真空器件尺寸是几 cm 大小 ,60 年代的固体器件尺寸是 mm 大小 ,80 年代超大规 模集成电路中的器件尺寸是 μ m 大小 ,预计二十一世纪的分子/ 电子器件尺寸将是在 nm 量级的。就一般情况而言 ,这些材料和结构都是在非平衡态下通过薄膜生长而获得的。 因此 ,薄膜科学逐渐成为一门研究薄膜制备技术 、生长机理 、控制方法和物性分析的科学 。 收稿 日期 : ( ) ( ) 基金项 目: 国家重点基础研究 973 计划 G2000067 103 ; 国家高技术 863 计划 2002AA3 1115 1 ; 国家基 ( ) ( ) 金委“创新研究群体”6002